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1. (WO2013117700) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2013/117700    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2013/052549
Veröffentlichungsdatum: 15.08.2013 Internationales Anmeldedatum: 08.02.2013
IPC:
H01L 33/46 (2010.01), H01L 33/52 (2010.01), H01L 31/0216 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstr. 4 93055 Regensburg (DE)
Erfinder: SCHLERETH, Thomas; (DE).
KAISER, Stephan; (DE).
LINKOV, Alexander; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Schlossschmidstr. 5 80639 Munich (DE)
Prioritätsdaten:
10 2012 101 102.8 10.02.2012 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) COMPOSANT À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Halbleiterbauelement (100) angegeben, das zumindest einen Halbleiterchip (1) aufweist, der eine Strahlungsdurchtrittsfläche (10) und eine der Strahlungsdurchtrittsfläche (10) gegenüberliegende Montagefläche (11) aufweist. Die Montagefläche (11) weist eine erste elektrische Kontaktstruktur (2a) und eine von der ersten elektrischen Kontaktstruktur elektrisch isolierte zweite elektrische Kontaktstruktur (2b) auf. Die Strahlungsdurchtrittsfläche (10) ist frei von Kontaktstrukturen. Eine reflektierende Umhüllung, die den Halbleiterchip (1) bereichsweise umhüllt, und eine Schutzumhüllung (8), die den Halbleiterchip (1) und/oder die reflektierende Umhüllung (5) zumindest bereichsweise umhüllt, sind vorgesehen. Zudem ist eine Anordnung mit einer Mehrzahl derartiger Halbleiterbauelemente (100) angegeben.
(EN)The invention relates to a semiconductor component (100), which has at least one semiconductor chip (1) having a radiation passage surface (10) and a mounting surface (11) opposite the radiation passage surface (10). The mounting surface (11) has a first electrical contact structure (2a) and a second electrical contact structure (2b) electrically insulated from the first electrical contact structure. The radiation passage surface (10) is free of contact structures. A reflective sheath that surrounds the semiconductor chip (1) in sections, and a protective sheath (8) that surrounds the semiconductor chip (1) and/or the reflective sheath (5), at least in sections, are provided. The invention further relates to an arrangement comprising a plurality of such semiconductor components (100).
(FR)L'invention concerne un composant à semi-conducteur (100) comprenant au moins une puce semi-conductrice (1) qui présente une surface de traversée de rayonnement (10) et une surface de montage 11) opposée à la surface de traversée de rayonnement (10). La surface de montage (11) présente une première structure de contact électrique (2a) et une deuxième structure de contact électrique (2b) électriquement isolée de la première structure de contact électrique. La surface de traversée de rayonnement (10) est exempte de structure de contact. Ce composant à semi-conducteur comporte également une enveloppe réfléchissante qui enveloppe par endroits la puce semi-conductrice (1) et une enveloppe de protection (8) qui enveloppe au moins par endroits la puce semi-conductrice (1) et/ou l'enveloppe réfléchissante (5). L'invention concerne également un système comprenant une pluralité de tels composants à semi-conducteurs (100).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)