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1. (WO2013110395) DIELEKTRISCHES MATERIAL ZUR VERWENDUNG IN ELEKTRISCHEN ENERGIESPEICHERN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2013/110395    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2012/074942
Veröffentlichungsdatum: 01.08.2013 Internationales Anmeldedatum: 10.12.2012
IPC:
H01L 49/02 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01), H01G 4/002 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
PIRK, Tjalf [DE/DE]; (DE) (US only).
SUENNER, Thomas [DE/DE]; (DE) (US only).
ECKARDT, Martin [DE/DE]; (DE) (US only).
ROELVER, Robert [DE/DE]; (DE) (US only).
HERNANDEZ GUILLEN, Francisco [ES/DE]; (DE) (US only)
Erfinder: PIRK, Tjalf; (DE).
SUENNER, Thomas; (DE).
ECKARDT, Martin; (DE).
ROELVER, Robert; (DE).
HERNANDEZ GUILLEN, Francisco; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
10 2012 200 989.2 24.01.2012 DE
Titel (DE) DIELEKTRISCHES MATERIAL ZUR VERWENDUNG IN ELEKTRISCHEN ENERGIESPEICHERN
(EN) DIELECTRIC MATERIAL FOR USE IN ELECTRICAL ENERGY STORAGE DEVICES
(FR) MATÉRIAU DIÉLECTRIQUE DESTINÉ À ÊTRE UTILISÉ DANS DES ACCUMULATEURS D'ÉNERGIE ÉLECTRIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung geht aus von einem dielektrisches Material zur Verwendung in elektrischen Energiespeichern (10), das zumindest zwei Nanostrukturen (18, 20, 22, 24) umfasst, die jeweils in einer elektrisch isolierenden Matrix (28) aus einem Material eingebettet sind, das eine größere Bandlücke aufweist als ein Material der Nanostrukturen (18, 20, 22, 24). Es wird vorgeschlagen, dass parallel zu einer Richtung (16) eines von außen anwendbaren elektrischen Feldes eine von Null verschiedene Wahrscheinlichkeit eines Tunnelns von Ladungsträgern zwischen den zwei Nanostrukturen (18, 20, 22, 24) eingestellt ist.
(EN)The invention proceeds from a dielectric material for use in electrical energy storage devices (10), said material comprising at least two nanostructures (18, 20, 22, 24) which are each embedded in an electrically insulating matrix (28) made of a material having a bandgap greater than a material of the nanostructures (18, 20, 22, 24). The invention proposes that a probability different from zero of charge carrier tunnelling in parallel to a direction (16) of an electrical field that can be used from outside is set between the two nanostructures (18, 20, 22, 24).
(FR)L'invention concerne un matériau diélectrique destiné à être utilisé dans des accumulateurs d'énergie électrique(10). Ce matériau comprend au moins deux nanostructures (18, 20, 22, 24) qui sont chacune noyées dans une matrice électriquement isolante (28) à base d'un matériau qui présente un intervalle de bande plus grand qu'un matériau des nanostructures (18, 20, 22, 24). Selon l'invention, une probabilité non nulle de mise sous tunnel de porteurs de charges entre les deux nanostructures (18, 20, 22, 24) est réglée parallèlement à une direction (16) d'un champ électrique applicable depuis l'extérieur.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)