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1. (WO2013110315) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN SOWIE SPANWERKZEUG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2013/110315    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2012/050974
Veröffentlichungsdatum: 01.08.2013 Internationales Anmeldedatum: 23.01.2012
IPC:
B23K 20/22 (2006.01)
Anmelder: EV GROUP E. THALLNER GMBH [AT/AT]; 1, DI Erich Thallner Straße A-4782 St. Florian am Inn (AT) (For All Designated States Except US).
MARTINSCHITZ, Klaus [AT/AT]; (AT) (For US Only).
WIMPLINGER, Markus [AT/AT]; (AT) (For US Only).
REBHAN, Bernhard [AT/AT]; (AT) (For US Only)
Erfinder: MARTINSCHITZ, Klaus; (AT).
WIMPLINGER, Markus; (AT).
REBHAN, Bernhard; (AT)
Vertreter: SCHWEIGER, Johannes; 22, Turmstraße 40878 Ratingen (DE)
Prioritätsdaten:
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN SOWIE SPANWERKZEUG
(EN) METHOD AND DEVICE FOR THE PERMANENT BONDING OF WAFERS, AND CUTTING TOOL
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE LIAISON PERMANENTE DE PLAQUETTES AINSI QU'OUTIL D'USINAGE PAR ENLÈVEMENT DE COPEAUX
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Bondoberfläche (1o) eines ersten, aus einem ersten Material bestehenden Festkörpersubstrats (1) mit einer zweiten Bondoberfläche (2o) eines zweiten, aus einem zweiten Material bestehenden Festkörpersubstrats (2) mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Bearbeitung der ersten und/oder zweiten Bondoberflächen (1o, 2o) mit einem Spanwerkzeug (5) bei einer Geschwindigkeit vs unterhalb einer kritischen Geschwindigkeit Vk und bei einer Temperatur Ts oberhalb einer kritischen Temperatur Tk und bis zu einer Oberflächenrauigkeit 0 kleiner als Ι μm, - Kontaktieren des ersten Festkörpersubstrats (1) mit dem zweiten Festkörpersubstrat (2) an den Bondoberflächen (1o, 2o) und - Temperaturbeaufschlagung der kontaktierten Festkörpersubstrate (1, 2) zur Ausbildung eines zumindest überwiegend durch Rekristallisation bewirkten permanenten Bonds an den Bondoberflächen (1o, 2o) jeweils bis in eine Rekristallisationstiefe R größer als die Oberflächenrauigkeit O der Bondoberflächen (1o, 2o) mit einer Bondtemperatur TB oberhalb der Rekristallisationstemperatur. Weiterhin betrifft die vorliegende Erfindung eine korrespondierende Vorrichtung sowie ein Spanwerkzeug zur Bearbeitung der ersten und/oder zweiten Bondoberflächen bei einer Geschwindigkeit vs unterhalb einer kritischen Geschwindigkeit Vk und bei einer Temperatur Ts oberhalb einer kritischen Temperatur Tk und bis zu einer Oberflächenrauigkeit O kleiner als 1 μm.
(EN)The invention relates to a method for bonding a first bonding surface (1o) of a first solid body substrate (1) consisting of a first material to a second bonding surface (2o) of a second solid body substrate (2) consisting of a second material, comprising the following steps, in particular in the following sequence: machining of the first and/or second bonding surfaces (1o, 2o) by means of a cutting tool (5) at a speed vs below a critical speed Vk and at a temperature Ts above a critical temperature Tk and up to a surface roughness O of less than 1 μm; bringing the first solid body substrate (1) into contact with the second solid body substrate (2) at the bonding surfaces (1o, 2o); and thermally treating the solid body substrates (1, 2) in contact to form a permanent bond induced at least mainly by recrystallisation at the bonding surfaces (1o, 2o), in each case as far as a recrystallisation depth R greater than the surface roughness O of the bonding surfaces (1o, 2o) at a bonding temperature TB above the recrystallisation temperature. The invention further relates to a corresponding device and to a cutting tool for machining the first and/or second bonding surfaces at a speed vs below a critical speed Vk and at a temperature Ts above a critical temperature Tk and up to a surface roughness O of less than 1 μm.
(FR)L'invention concerne un procédé de liaison d'une première surface de liaison (1o) d'un premier substrat à semi-conducteur (1) composé d'un premier matériau à une deuxième surface de liaison (2o) d'un deuxième substrat à semi-conducteur (2) composé d'un deuxième matériau. Ledit procédé comprend les étapes suivantes se déroulant en particulier de la manière suivante : - l'usinage de la première et/ou de la deuxième surface de liaison (1o, 2o) au moyen d'un outil d'usinage par enlèvement de copeaux (5) à une vitesse vs inférieure à une vitesse critique Vk et à une température Ts supérieure à une température critique Tk, jusqu'à une rugosité de surface O inférieure à 1 µm ; - la mise en contact du premier substrat à semi-conducteur (1) avec le deuxième substrat à semi-conducteur (2) au niveau des surfaces de liaison (1o, 2o) ; - et l'application de chaleur aux substrats à semi-conducteur (1, 2) mis en contact, pour former une liaison permanente provoquée au moins en grande partie par recristallisation au niveau des surfaces de liaison (1o, 2o) respectivement jusqu'à une profondeur de recristallisation R supérieure à la rugosité de surface O des surfaces de liaison (1o, 2o), à une température de liaison TB supérieure à la température de recristallisation. L'invention concerne par ailleurs un dispositif correspondant ainsi qu'un outil d'usinage par enlèvement de copeaux servant pour l'usinage de la première et/ou deuxième surface de liaison à une vitesse vs inférieure à une vitesse critique Vk et à une température Ts supérieure à une température critique Tk, jusqu'à une rugosité de surface O inférieure à 1 µm.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)