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1. (WO2013085566) HIGH CURRENT HIGH VOLTAGE GAN FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF FABRICATING SAME
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2013/085566 Internationale Anmeldenummer PCT/US2012/038013
Veröffentlichungsdatum: 13.06.2013 Internationales Anmeldedatum: 15.05.2012
IPC:
H01L 29/778 (2006.01) ,H01L 21/335 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29
Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungs- oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
66
Typen von Halbleiterbauelementen
68
steuerbar allein durch den einer Elektrode, die nicht den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom führt, zugeführten elektrischen Strom oder durch das an eine solche Elektrode angelegte elektrische Potenzial
76
Unipolar-Bauelemente
772
Feldeffekt-Transistoren
778
mit zwei-dimensionalem Kanal für das Ladungsträgergas, z.B. HEMT
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334
Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335
Feldeffekt-Transistoren
Anmelder:
HRL LABORATORIES, LLC [US/US]; 3011 Malibu Canyon Road Malibu, CA 90265-4799, US (AllExceptUS)
CHU, Rongming [CN/US]; US (UsOnly)
LI, Zijian, Ray [CN/US]; US (UsOnly)
BOUTROS, Karim, S. [US/US]; US (UsOnly)
BURNHAM, Shawn [US/US]; US (UsOnly)
Erfinder:
CHU, Rongming; US
LI, Zijian, Ray; US
BOUTROS, Karim, S.; US
BURNHAM, Shawn; US
Vertreter:
GALLENSON, Mavis, S.; 5670 Wilshire Boulevard Suite 2100 Los Angeles, CA 90036, US
Prioritätsdaten:
13/312,40606.12.2011US
Titel (EN) HIGH CURRENT HIGH VOLTAGE GAN FIELD EFFECT TRANSISTORS AND METHOD OF FABRICATING SAME
(FR) TRANSISTORS À EFFET DE CHAMP AU GAN À HAUT COURANT ET À HAUTE TENSION ET LEUR PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung:
(EN) A field effect transistor (FET) having a source contact to a channel layer, a drain contact to the channel layer, and a gate contact on a barrier layer over the channel layer, the (FET) including a dielectric layer on the barrier layer between the source contact and the drain contact and over the gate contact, and a field plate on the dielectric layer, the field plate connected to the source contact and extending over a space between the gate contact and the drain contact and the field plate comprising a sloped sidewall in the space between the gate contact and the drain contact.
(FR) L'invention concerne un transistor à effet de champ (FET) comprenant un contact de source vers une couche de canal, un contact de drain vers la couche de canal, et un contact de grille sur une couche barrière au-dessus de la couche de canal, le FET comprenant une couche diélectrique sur la couche barrière entre le contact de source et le contact de drain et au-dessus du contact de grille, et une plaque de champ sur la couche diélectrique, la plaque de champ étant connectée au contact de source et s'étendant au-dessus d'un espace situé entre le contact de grille et le contact de drain et la plaque de champ comprenant une paroi latérale en pente dans l'espace situé entre le contact de grille et le contact de drain.
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Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
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Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)
Auch veröffentlicht als:
EP2789013CN104094408