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1. (WO2012143467) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2012/143467    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2012/057201
Veröffentlichungsdatum: 26.10.2012 Internationales Anmeldedatum: 19.04.2012
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
MEYER, Christine [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LACHOWICZ, Agata [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GASSENBAUER, Yvonne [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BLENDIN, Gabriele [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MOSCHNER, Jens Dirk [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MEYER, Christine; (DE).
LACHOWICZ, Agata; (DE).
GASSENBAUER, Yvonne; (DE).
BLENDIN, Gabriele; (DE).
MOSCHNER, Jens Dirk; (DE)
Vertreter: STOFFREGEN, Hans-Herbert; Friedrich-Ebert-Anlage 11b 63450 Hanau (DE)
Prioritätsdaten:
10 2011 002 174.4 19.04.2011 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE
(EN) METHOD FOR MANUFACTURING A SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer MWT-PERC- Solarzelle, bei der Öffnungen im Substrat der Solarzelle durchkontaktiert werden und auf der Rückseite der Solarzelle vorhandene Emitterbereiche durch Diffusion außerhalb der Durchkontaktierung vollständig entfernt werden und auf der Rückseite eine dielektrische Schicht aufgetragen wird. Um beim Entfernen des rückseitig verlaufenden Emitterbereichs den frontseitigen Emitter nicht anzugreifen, wird vorgeschlagen, dass auf der Frontseite eine Opferschicht ausgebildet wird, die beim Ätzen der auf der Rückseite der Solarzellen vorhandenen Emitterbereiche den frontseitigen Emitter schützt und/oder dass beim Abätzen der auf der Rückseite vorhandenen Emitterbereichen ein von der Frontseite her wirkendes Medium der Ätzwirkung des die Öffnungen durchsetzenden Ätzmediums entgegenwirkt.
(EN)The invention relates to a method for manufacturing an MWT-PERC solar cell in which holes in the substrate of the solar cell are plated through, emitter regions on the back side of the solar cell are entirely removed using a diffusion process outside the via, and a dielectric layer is applied to the back side. In order not to affect the emitter on the front side when the emitter region on the back side is removed, a sacrificial layer that protects the emitter on the front side when the emitter regions on the back side of the solar cells are etched is formed on the front side, and/or a medium acting from the front side counteracts the etching effect of the etching medium penetrating the holes when the emitter regions on the back side are etched away.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire MWT-PERC, des ouvertures ménagées dans le substrat de la cellule solaire étant métallisées et des régions émettrices présentes sur la face arrière de la cellule solaire étant entièrement retirées par diffusion à l'extérieur de la zone de métallisation et une couche diélectrique étant appliquée sur la face arrière. Selon l'invention, pour ne pas attaquer l'émetteur sur la face avant lors du retrait de la région émettrice s'étendant sur la face arrière, une couche sacrificielle qui protège l'émetteur sur la face avant lors de l'attaque des régions émettrices présentes sur la face arrière des cellules solaires est formée sur la face avant, et/ou un agent agissant depuis la face avant s'oppose à l'effet caustique de l'agent d'attaque passant par les ouvertures lors de l'attaque des régions émettrices présentes sur la face arrière.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)