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1. (WO2012136459) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND DERART HERGESTELLTES BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2012/136459    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2012/054598
Veröffentlichungsdatum: 11.10.2012 Internationales Anmeldedatum: 15.03.2012
IPC:
H01L 33/44 (2010.01), H01L 33/56 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
MAUTE, Markus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MOOSBURGER, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
JEREBIC, Simon [SI/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MAUTE, Markus; (DE).
MOOSBURGER, Jürgen; (DE).
JEREBIC, Simon; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2011 016 567.3 08.04.2011 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTS UND DERART HERGESTELLTES BAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND COMPONENT PRODUCED IN SUCH MANNER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT AINSI FABRIQUÉ
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements (10) angegeben. Es wird ein Halbleiterchip (2) bereitgestellt, der eine zur Strahlungserzeugung geeignete aktive Schicht aufweist und auf einem Träger (1) angeordnet ist. Auf dem Halbleiterchip (2) und/oder dem Träger (1) wird ein dispergiertes Material (3) zumindest bereichsweise aufgebracht. Das dispergierte Material (3) umfasst ein Matrixmaterial (31) und darin eingebettete Partikel (32). Vor Aufbringen des dispergierten Materials (3) wird eine vom Träger (1) abgewandte Chipkante (22) des Halbleiterchips (2) derart modifiziert, dass sich das dispergierte Material (3) beim Aufbringen an der Chipkante (22) zumindest teilweise in seine Bestandteile auftrennt. Weiter wird ein derart hergestelltes Bauelement (10) angegeben.
(EN)The invention relates to a method for producing an optoelectronic component (10). According to the invention, a semiconductor chip (2) is provided, which comprises an active layer suitable for generating radiation and is arranged on a carrier (1). A dispersed material (3) is applied to at least some areas of the semiconductor chip (2) and/or the carrier (1). The dispersed material (3) comprises a matrix material (31) and particles (32) embedded therein. Before applying the dispersed material (3), a chip edge (22) of the semiconductor chip (2) facing away from the carrier (1) is modified such that the dispersed material (3) dissolves at least partially into the components thereof when applied to the chip edge (22). The invention further relates to a component (10) produced in such manner.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant optoélectronique (10). Selon le procédé, une puce semi-conductrice (2) comportant une couche active appropriée à la production d'un rayonnement est agencée sur un support (1). Un matériau dispersé (3) est appliqué au moins par endroits sur la puce semi-conductrice (2) et/ou le support (1). Le matériau dispersé (3) comprend un matériau matriciel (31) et des particules (32) incorporées à celui-ci. Avant l'application du matériau dispersé (3), un bord de puce (22) de la puce semi-conductrice (2) opposé au support (1) est modifié de telle manière que, lors de l'application sur le bord de puce (22), le matériau dispersé (3) se sépare au moins en partie en ses éléments. L'invention concerne également un composant (10) ainsi fabriqué.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)