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1. (WO2012136266) VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2012/136266    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2011/055469
Veröffentlichungsdatum: 11.10.2012 Internationales Anmeldedatum: 08.04.2011
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    06.02.2013    
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/762 (2006.01)
Anmelder: EV GROUP E. THALLNER GMBH [AT/AT]; 1, DI Erich Thallner Straße A-4782 St. Florian am Inn (AT) (For All Designated States Except US).
PLACH, Thomas [AT/AT]; (AT) (For US Only).
HINGERL, Kurt [AT/AT]; (AT) (For US Only).
WIMPLINGER, Markus [AT/AT]; (AT) (For US Only).
FLÖTGEN, Christoph [AT/AT]; (AT) (For US Only)
Erfinder: PLACH, Thomas; (AT).
HINGERL, Kurt; (AT).
WIMPLINGER, Markus; (AT).
FLÖTGEN, Christoph; (AT)
Vertreter: BECKER & MÜLLER; SCHWEIGER, Johannes 22, Turmstraße 40878 Ratingen (DE)
Prioritätsdaten:
Titel (DE) VERFAHREN ZUM PERMANENTEN BONDEN VON WAFERN
(EN) METHOD FOR PERMANENTLY BONDING WAFERS
(FR) PROCÉDÉ DE LIAISON PERMANENTE DE PLAQUETTES DE SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Bonden einer ersten Kontaktfläche (3) eines ersten Substrats (1) mit einer zweiten Kontaktfläche (4) eines zweiten Substrats (2), wobei das zweite Substrat (2) zumindest eine Reaktionsschicht (7) aufweist, mit folgenden Schritten, insbesondere folgendem Ablauf: - Ausbildung eines Reservoirs (5) in einer Reservoirbildungsschicht (6) an der ersten Kontaktfläche (3), - zumindest teilweises Auffüllen des Reservoirs (5) mit einem ersten Edukt oder einer ersten Gruppe von Edukten, - Kontaktieren der ersten Kontaktfläche (3) mit der zweiten Kontaktfläche (4) zur Ausbildung einer Pre-Bond-Verbindung, - Dünnen des zweiten Substrats (2) und - Ausbildung eines permanenten Bonds zwischen der ersten und zweiten Kontaktfläche (3, 4), zumindest teilweise verstärkt durch Reaktion des ersten Edukts mit einem in der Reaktionsschicht (7) des zweiten Substrats (2) enthaltenen zweiten Edukt.
(EN)The invention relates to a method for bonding a first contact surface (3) of a first substrate (1) to a second contact surface (4) of a second substrate (2), said second substrate (2) having at least one reaction layer (7). The method has the following steps, in particular in the following sequence: - forming a reservoir (5) in a reservoir-forming layer (6) on the first contact surface (3), - at least partly filling the reservoir (5) with a first reactant or a first group of reactants, - contacting the first contact surface (3) with the second contact surface (4) in order to form a pre-bonding connection, - thinning the second substrate (2), and - forming a permanent bond between the first and second contact surfaces (3, 4), said bond being at least partially reinforced by reacting the first reactant with a second reactant contained in the reaction layer (7) of the second substrate (2).
(FR)La présente invention concerne un procédé de liaison d'une première surface de contact (3) d'un premier substrat (1) et d'une deuxième surface de contact (4) d'un deuxième substrat (2), le deuxième substrat (2) présentant au moins une couche réactionnelle (7). Le procédé comprend les étapes suivantes, notamment dans l'ordre suivant : - formation d'un réservoir (5) dans une couche (6) contre la première surface de contact (3), - remplissage au moins partiel du réservoir (5) avec un premier produit de départ ou un premier groupe de produits de départ, - mise en contact de la première surface de contact (3) avec la deuxième surface de contact (4) pour la formation d'une pré-liaison (de fixation), - amincissement du deuxième substrat (2) et – formation d'une liaison permanente entre la première et la deuxième surfaces de contact (3, 4), au moins partiellement renforcée par la réaction du premier produit de départ avec un deuxième produit de départ contenu dans la couche réactionnelle (7) du premier substrat (2).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)