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1. (WO2012130751) DIODEN-DÜNNSCHICHTANORDNUNG ZUR DETEKTION VON WASSERSTOFF UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG SOWIE WASSERSTOFFSENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2012/130751    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2012/055189
Veröffentlichungsdatum: 04.10.2012 Internationales Anmeldedatum: 23.03.2012
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    24.01.2013    
IPC:
G01N 33/00 (2006.01), G01N 27/12 (2006.01)
Anmelder: ODB-TEC GMBH & CO. KG [DE/DE]; Bussardweg 12 41468 Neuss (DE) (For All Designated States Except US).
OSTERMANN, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHIERBAUM, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
EL ACHHAB, Mhamed [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: OSTERMANN, Dieter; (DE).
SCHIERBAUM, Klaus; (DE).
EL ACHHAB, Mhamed; (DE)
Vertreter: COHAUSZ & FLORACK (24),; Bleichstraße 14 40211 Düsseldorf (DE)
Prioritätsdaten:
10 2011 015 197.4 25.03.2011 DE
11166921.4 20.05.2011 EP
10 2011 122 119.4 22.12.2011 DE
Titel (DE) DIODEN-DÜNNSCHICHTANORDNUNG ZUR DETEKTION VON WASSERSTOFF UND VERFAHREN ZU IHRER HERSTELLUNG SOWIE WASSERSTOFFSENSOR
(EN) DIODE THIN FILM ASSEMBLY FOR DETECTING HYDROGEN AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND HYDROGEN SENSOR
(FR) ENSEMBLE DE COUCHES MINCES DE DIODES POUR LA DÉTECTION D'HYDROGÈNE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DUDIT ENSEMBLE AINSI QUE DÉTECTEUR D'HYDROGÈNE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft Dioden-Dünnschichtanordnung (1) zur Detektion von Wasserstoff, umfassend eine erste leitfähige Schicht (2), eine auf die erste leitfähige Schicht (2) aufgebrachte oder auf der ersten leitfähigen Schicht (2) erzeugte Metalloxidschicht (3), und eine auf die Metalloxidschicht (3) aufgebrachte Metallschicht (4), wobei die Elektronenaustrittsarbeit der ersten leitfähigen (2) Schicht niedriger ist als die Elektronenaustrittsarbeit der Metalloxidschicht (3), derart, dass zwischen der ersten leitfähigen Schicht (2) und der Metalloxidschicht (3) ein ohmscher Kontakt gebildet ist, und wobei zwischen der Metalloxidschicht (3) und der Metallschicht (4) ein Schottky-Kontakt gebildet ist, Erfindungsgemäß weist die Metalloxidschicht (3) eine schwammartig poröse Struktur auf und die auf die Metalloxidschicht (3) aufgebrachte Metallschicht (4) weist eine entsprechende poröse Struktur auf. Ferner betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung einer Dioden-Dünnschichtanordnung (1), deren vorteilhafte Verwendungen sowie einen Wasserstoffsensor.
(EN)The invention relates to a diode thin film assembly (1) for detecting hydrogen, comprising a first conductive layer (2), a metal oxide layer (3) that is applied to the first conductive layer (2) or generated on the first conductive layer (2), and a metal layer (4) that is applied to the metal oxide layer (3), wherein the electron work function of the first conductive layer (2) is lower than the electron work function of the metal oxide layer (3), such that an ohmic contact is formed between the first conductive layer (2) and the metal oxide layer (3), and wherein a Schottky contact is formed between the metal oxide layer (3) and the metal layer (4). According to the invention, the metal oxide layer (3) has a sponge-like porous structure and the metal layer (4) applied to the metal oxide layer (3) has a corresponding porous structure. The invention further relates to a method for producing a diode thin film assembly (1), to the advantageous uses thereof and to a hydrogen sensor.
(FR)L'invention concerne un ensemble de couches minces de diodes (1) pour la détection d'hydrogène, comprenant une première couche conductrice (2), une couche d'oxyde métallique (3) appliquée sur la première couche conductrice (2) ou produite sur la première couche conductrice (2), et une couche métallique (4) appliquée sur la couche d'oxyde métallique (3). Le travail de sortie d'électrons de la première couche conductrice (2) est inférieur au travail de sortie d'électrons de la couche d'oxyde métallique (3), de telle manière qu'un contact ohmique est formé entre la première couche conductrice (2) et la couche d'oxyde métallique (3). Un contact Schottky est également formé entre la couche d'oxyde métallique (3) et la couche métallique (4). Selon la présente invention, la couche d'oxyde métallique (3) présente une structure poreuse de type éponge, et la couche métallique (4) appliquée sur la couche d'oxyde métallique (3) présente une structure poreuse correspondante. La présente invention concerne en outre un procédé de production d'un ensemble de couches minces de diodes (1), les applications avantageuses de celles-ci ainsi qu'un détecteur d'hydrogène.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)