In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2011128233 - LASERLICHTQUELLE

Veröffentlichungsnummer WO/2011/128233
Veröffentlichungsdatum 20.10.2011
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2011/055320
Internationales Anmeldedatum 06.04.2011
IPC
H01S 5/028 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
028Beschichtungen, Überzüge
H01S 5/026 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
026Monolithisch integrierte Komponenten, z.B. Wellenleiter, Monitor-Fotodetektoren oder Treiber
H01S 5/10 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
10Aufbau oder Form des optischen Resonators
H01S 5/024 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
SVorrichtungen, die den Prozess der Lichtverstärkung durch stimulierte Emission von Strahlung verwenden, um Licht zu verstärken oder zu erzeugen; Vorrichtungen, die stimulierte Emission von elektromagnetischer Strahlung in anderen als optischen Wellenlängenbereichen verwenden
5Halbleiterlaser
02Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
024Anordnungen für das Wärmemanagement
CPC
H01S 2301/18
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
2301Functional characteristics
18Semiconductor lasers with special structural design for influencing the near- or far-field
H01S 5/0078
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
005Optical components external to the laser cavity, specially adapted therefor, e.g. for homogenisation or merging of the beams or for manipulating laser pulses, e.g. pulse shaping
0078for frequency filtering
H01S 5/02212
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
02208characterised by the shape of the housings
02212Can-type, e.g. TO-CAN housings with emission along or parallel to symmetry axis
H01S 5/02326
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
022Mountings; Housings
023Mount members, e.g. sub-mount members
02325Mechanically integrated components on mount members or optical micro-benches
02326Arrangements for relative positioning of laser diodes and optical components, e.g. grooves in the mount to fix optical fibres or lenses
H01S 5/024
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
024Arrangements for thermal management
H01S 5/02461
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
5Semiconductor lasers
02Structural details or components not essential to laser action
024Arrangements for thermal management
02461Structure or details of the laser chip to manipulate the heat flow, e.g. passive layers in the chip with a low heat conductivity
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • BREIDENASSEL, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
  • AVRAMESCU, Adrian Stefan [RO]/[DE] (UsOnly)
  • LELL, Alfred [DE]/[DE] (UsOnly)
  • TAUTZ, Sönke [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • BREIDENASSEL, Andreas
  • AVRAMESCU, Adrian Stefan
  • LELL, Alfred
  • TAUTZ, Sönke
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2010 015 197.116.04.2010DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) LASERLICHTQUELLE
(EN) LASER LIGHT SOURCE
(FR) SOURCE DE LUMIÈRE LASER
Zusammenfassung
(DE) Es wird eine Laserlichtquelle zur Abstrahlung von kohärenter elektromagnetischer Strahlung (10) mit einem vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) angegeben mit einer Halbleiterschichtenfolge (1) zur Erzeugung der kohärenten elektromagnetischen Strahlung mit einem aktiven Bereich (3) auf einem Substrat (2), wobei die kohärente elektromagnetische Strahlung im Betrieb mindestens von einem Hauptemissionsbereich (5) einer Strahlungsauskoppelfläche (4) mit einer Abstrahlrichtung (11) abgestrahlt wird und die Strahlungsauskoppelfläche (4) durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (1) gebildet ist, und einem Filterelement (13), das im Betrieb erzeugte kohärente elektromagnetische Strahlung (12), die von einem zum Hauptemissionsbereich (5) vertikal versetzten und räumlich getrennten Nebenemissionsbereich (6) der Strahlungsauskoppelfläche (4) abgestrahlt wird, im vertikalen Fernfeldstrahlprofil (121) unterdrückt.
(EN) The invention relates to a laser light source for emitting coherent electromagnetic radiation (10) having a vertical far-field radiation profile (121), having a series of semiconductor layers (1) for generating the coherent electromagnetic radiation comprising an active region (3) on a substrate (2), wherein the coherent electromagnetic radiation is emitted during operation in an emission direction (11) at least from a main emission region (5) of a radiation output surface (4), and the radiation output surface (4) is formed by a side surface of the sequence of semiconductor layers (1), and a filter element (13) that suppresses coherent electromagnetic radiation (12) in the vertical far-field radiation profile (121), wherein said radiation was generated during operation and emitted by an auxiliary emission region (6) of the radiation output surface (4), said auxiliary emission region being vertically offset from and spatially separated from the main emission region (5).
(FR) L'invention concerne une source de lumière laser pour l'émission d'un rayonnement électromagnétique cohérent (10) à profil de faisceau en champ lointain vertical (121), comprenant une suite de couches à semi-conducteurs (1) pour la production du rayonnement électromagnétique cohérent, présentant une zone active (3) sur un substrat (2), le rayonnement électromagnétique cohérent étant émis, lors du fonctionnement, suivant une direction d'émission (11), au moins par une zone d'émission principale (5) d'une surface de sortie de rayonnement (4), la surface de sortie de rayonnement (4) étant formée par une surface latérale de la suite de couches à semi-conducteurs (1), et un élément de filtrage (13) qui supprime le rayonnement électromagnétique cohérent (12) dans le profil de faisceau en champ lointain vertical (121), ledit rayonnement étant généré durant le fonctionnement et émis par une zone d'émission secondaire (6) de la surface de sortie de rayonnement (4), ladite zone d'émission secondaire étant décalée verticalement par rapport à la zone d'émission principale (5) et séparée spatialement de cette dernière.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten