WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2011058106) VERFAHREN ZUM BILDEN VON DÜNNEN HALBLEITERSCHICHTSUBSTRATEN ZUM HERSTELLEN VON SOLARZELLEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/058106    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/067299
Veröffentlichungsdatum: 19.05.2011 Internationales Anmeldedatum: 11.11.2010
IPC:
H01L 31/028 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01), H01L 21/3063 (2006.01), C25F 3/12 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01), H01L 31/0236 (2006.01)
Anmelder: INSTITUT FÜR SOLARENERGIEFORSCHUNG GMBH [DE/DE]; Am Ohrberg 1 31860 Emmerthal (DE) (For All Designated States Except US).
BRENDEL, Rolf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ERNST, Marco [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BRENDEL, Rolf; (DE).
ERNST, Marco; (DE)
Vertreter: KÜHN, Ralph; Maiwald Patentanwalts GmbH Elisenhof, Elisenstraße 3 80335 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 053 262.5 13.11.2009 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM BILDEN VON DÜNNEN HALBLEITERSCHICHTSUBSTRATEN ZUM HERSTELLEN VON SOLARZELLEN
(EN) METHOD FOR FORMING THIN SEMICONDUCTOR SUBSTRATES FOR PRODUCING SOLAR CELLS
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER DES SUBSTRATS DE COUCHES MINCES SEMI-CONDUCTRICES POUR LA FABRICATION DE PILES SOLAIRES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Verfahren zum Bilden von dünnen Halbleiterschichtsubstraten zum Herstellen von Solarzellen beschrieben, bei dem in einem bereitgestellten Halbleitersubstrat (1) abwechselnd niedrig-makroporöse Schichten (33, 37) und freigeätzte Schichten (35, 39) durch elektrochemisches Ätzen ausgebildet werden können. Die freigeätzten Schichten (35, 39) trennen benachbarte makroporöse Schichten (33, 37), sodass diese vorzugsweise freitragend ausgebildet sind. Dabei wird ein Randbereich (3) des Halbleitersubstrates (1), der die makroporösen Schichten (33, 37) zumindest teilweise umgibt, ungeätzt belassen und dient somit zur mechanischen Stabilisierung der mit ihm verbundenen, eingeschlossenen, niedrig-makroporösen Schichten (33, 37). Der derart entstandene Mehrfachschichtenstapel kann anschließend in einem gemeinsamen Fluidverfahrensschritt als Gesamtheit weiteren Prozessierungsschritten unterzogen werden, beispielsweise mit einem passivierenden Oxid beschichtet werden. Anschließend können die makroporösen Schichten nacheinander von dem stabilisierenden Randbereich (3) des Halbleitersubstrats getrennt werden, wobei eine mechanische Verbindung zwischen der makroporösen Schicht (33) und dem nicht-porösen Randbereich (3) unterbrochen wird. Vor dem Abreißen der jeweils obersten Schicht können einseitig wirkende Prozesse angewendet werden. Mit wenigen Prozessschritten lassen sich so eine Vielzahl von dünnen Halbleiterschichtsubstraten in Form von makroporösen Schichten (33, 37) einschließlich einer guten Oberflächenpassivierung sowie einer reflexionsmindernden Oberflächentextur bilden.
(EN)The invention relates to a method for forming thin semiconductor substrates for producing solar cells, wherein alternately low-macroporous layers (33, 37) and layers (35, 39) etched clear can be designed by electrochemical etching in a provided semiconductor substrate (1). The layers (35, 39) etched clear separate adjoining macroporous layers (33, 37), such that said layers are preferably designed to be self-supporting. An edge region (3) of the semiconductor substrate (1), which surrounds the macroporous layers (33, 37) at least partially, is left unetched and is thus used for the mechanical stabilization of the enclosed, low-macroporous layers (33, 37) connected thereto. The multi-layer stack yielded in this way can then be subjected in a joint fluid method stop collectively to further processing steps, for example coated with a passivating oxide. Thereafter, the macroporous layers can be successively separated from the stabilizing edge region (3) of the semiconductor substrate, wherein a mechanical connection between the macroporous layer (33) and the non-porous edge region (3) is interrupted. Before the respectively uppermost layer is torn off, unilaterally acting processes can be employed. Using few process steps, in this way a plurality of thin semiconductor layer substrates in the form of macroporous layers (33, 37) can be formed, including good surface passivation and a reflection-reducing surface texture.
(FR)L'invention concerne un procédé pour former des substrats de couches minces semi-conductrices pour la fabrication de piles solaires, selon lequel, dans un substrat semi-conducteur (1) fourni, des couches faiblement macroporeuses (33, 37) et des couches exposées par gravure (35, 39) peuvent être réalisées en alternance par gravure électrochimique. Les couches exposées par gravure (35, 39) séparent des couches macroporeuses adjacentes (33, 37), de sorte que celles-ci soient réalisées de préférence de manière autoportante. En l'occurrence, une région de bord (3) du substrat semi-conducteur (1), qui entoure au moins en partie les couches macroporeuses (33, 37), est laissée non gravée, et sert ainsi à la stabilisation mécanique des couches faiblement macroporeuses (33, 37) incorporées, connectées à celle-ci. L'empilement de couches multiples ainsi produit peut ensuite être soumis, dans une étape de procédé fluide commune, en tant que tout, à d'autres étapes de processus, par exemple à un revêtement d'oxyde de passivation. Ensuite, les couches macroporeuses peuvent être séparées les unes après les autres de la région de bord stabilisante (3) du substrat semi-conducteur, une liaison mécanique entre la couche macroporeuse (33) et la région de bord non poreuse (3) étant interrompue. Avant la séparation de la couche supérieure respective, des processus agissant d'un côté peuvent être employés. On peut ainsi obtenir, avec peu d'étapes de procédé, une pluralité de substrats de couches minces semi-conductrices sous la forme de couches macropoteuses (33, 34) avec une bonne passivation de surface ainsi qu'une texture de surface réduisant les réflexions.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)