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1. (WO2011057848) SCHOTTKYDIODE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/057848    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/064003
Veröffentlichungsdatum: 19.05.2011 Internationales Anmeldedatum: 23.09.2010
IPC:
H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/872 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
QU, Ning [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GOERLACH, Alfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: QU, Ning; (DE).
GOERLACH, Alfred; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 046 596.0 11.11.2009 DE
Titel (DE) SCHOTTKYDIODE
(EN) SCHOTTKY DIODE
(FR) DIODE SCHOTTKY
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird eine Halbleiteranordnung einer Schottkydiode mit integrierter PN-Diode als Klammerelement beschrieben, die sich insbesondere als Z-Diode mit einer Durchbruchspannung von ca. 20V zum Einsatz in Kfz-Generatorsystem eignet. Dabei besteht die Halbleiteranordnung der Schottkydiode aus einer Kombination von Schottkydiode und PN-Diode. Die Durchbruchspannung der PN-Diode BV_pn ist sehr viel niedriger als die Durchbruchspannung der Schottkydiode BV_schottkyt , wobei die Halbleiteranordnung mit hohen Strömen im Durchbruch betrieben werden kann.
(EN)The invention relates to a semiconductor assembly of a Schottky diode having an integrated PN diode as a clamp element which is in particular suited as a Z diode having a breakdown voltage of approximately 20V for use in a motor vehicle generator system. According to the invention, the semiconductor assembly of the Schottky diode comprises a combination of Schottky diode and PN diode. According to the invention, the breakdown voltage of the PN diode BV_pn is much lower than the breakdown voltage of the Schottky diode BV­_schottkyt, wherein the semiconductor assembly can be operated by high currents in breakdown.
(FR)L'invention concerne un ensemble semiconducteur d'une diode Schottky comportant une diode PN intégrée en tant qu'élément de blocage, cet ensemble étant particulièrement adapté en tant que diode Zener avec une tension de claquage d'environ 20V dans des systèmes de générateurs pour l'automobile. Selon l'invention, l'ensemble semiconducteur de la diode Schottky combine une diode Schottky et une diode PN. La tension de claquage de la diode PN BV_pn est bien plus basse que la tension de claquage de la diode Schottky BV_schottkyt, l'ensemble semiconducteur pouvant fonctionner en claquage avec des courants élevés.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)