WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2011057841) SCHUTZELEMENT FÜR ELEKTRONISCHE SCHALTUNGEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/057841    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2010/063849
Veröffentlichungsdatum: 19.05.2011 Internationales Anmeldedatum: 21.09.2010
IPC:
H01L 27/02 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
QU, Ning [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GOERLACH, Alfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: QU, Ning; (DE).
GOERLACH, Alfred; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
102009046606.1 11.11.2009 DE
Titel (DE) SCHUTZELEMENT FÜR ELEKTRONISCHE SCHALTUNGEN
(EN) PROTECTIVE ELEMENT FOR ELECTRONIC CIRCUITS
(FR) ÉLÉMENT DE PROTECTION POUR CIRCUITS ÉLECTRONIQUES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein Schutzelement mit einer integrierten Halbleiteranordnung und ein Herstellungsverfahren für ein solches Schutzelement beschrieben, mit wenigstens einer Schottkydiode (S) und wenigstens einer Z- oder Zenerdiode (Z), die zwischen eines Stromversorgung und einer Elektronik liegen, beschrieben, wobei die Anode der Schottkydiode (S) mit der Stromversorgung und die Kathode der Schottkydiode (S) mit der Elektronik und der Kathode der Zenerdiode verbunden ist und deren Anode mit Masse in Verbindung steht. Die Schottkydiode (S) ist eine Trench-MOS-Barrier-Junction Diode oder Trench-MOS-Barrier-Schottky Diode (TMBS)-Diode oder eine Trench-Junction-Barrier-Schottky-Diode (TJBS)-Diode und umfasst eine integrierte Halbleiteranordnung, die wenigstens eine Trench-MOS-Barrier-Schottky-Diode und ein p-dotiertes Substrat aufweist, das als Anode der Z- oder Zenerdiode (Z) dient.
(EN)The invention relates to a protective element having an integrated semiconductor assembly and a production method for said protective element, having at least one Schottky diode (S) and at least one Z or Zener diode (Z) between a power supply and an electronic assembly, wherein the anode of the Schottky diode (S) is connected to the power supply and the cathode of the Schottky diode (S) is connected to the electronic assembly and the cathode of the Zener diode and the anode thereof is connected to ground. According to the invention, the Schottky diode (S) is a trench-MOS-barrier junction diode or trench-MOS-barrier Schottky diode (TMBS) or a trench-junction-barrier Schottky diode (TJBS) and comprises an integrated semiconductor assembly which has at least one trench-MOS-barrier Schottky diode and a p-doped substrate which serves as an anode of the Z or Zener diode (Z).
(FR)L'invention concerne un élément de protection comportant un ensemble semiconducteur intégré et un procédé de fabrication d'un tel élément de protection qui comprend au moins une diode Schottky (S) et au moins une diode Zener ou diode Z (Z), disposées entre une alimentation en courant et un système électronique, l'anode de la diode Schottky (S) étant reliée à l'alimentation en courant et la cathode de la diode Schottky (S) étant reliée au système électronique et à la cathode de la diode Zener dont l'anode est reliée à la masse. Selon l'invention, la diode Schottky (S) est une diode à jonction barrière MOS à tranchée ou une diode barrière Schottky MOS à tranchée (TMBS) ou bien une diode JBS à tranchée et elle comprend un ensemble semiconducteur intégré qui présente au moins une diode TMBS et un substrat dopé p qui sert d'anode à la diode Zener ou diode Z (Z).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)