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1. (WO2011054670) HOCHVOLT-TRANSISTOR MIT MEHRFACH-DIELEKTRIKUM UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/054670    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2010/065809
Veröffentlichungsdatum: 12.05.2011 Internationales Anmeldedatum: 20.10.2010
IPC:
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/423 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/40 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Anmelder: AUSTRIAMICROSYSTEMS AG [AT/AT]; Schloss Premstätten A-8141 Unterpremstätten (AT) (For All Designated States Except US).
RÖHRER, Georg [AT/AT]; (AT) (For US Only)
Erfinder: RÖHRER, Georg; (AT)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Zusammenschluss Nr. 175 Ridlerstraße 55 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
102009051745.6 03.11.2009 DE
Titel (DE) HOCHVOLT-TRANSISTOR MIT MEHRFACH-DIELEKTRIKUM UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) HIGH-VOLTAGE TRANSISTOR HAVING MULTIPLE DIELECTRICS AND PRODUCTION METHOD
(FR) TRANSISTOR HAUTE TENSION À DIÉLECTRIQUE MULTIPLE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Auf einer für eine Driftstrecke vorgesehenen dotierten Wanne (2) sind zwischen einem ersten Kontaktbereich (4) für Drain und einem zweiten Kontaktbereich (5) für Source an der Oberseite (10) des Substrats (1) mindestens zwei zusätzliche dielektrische Bereiche (7, 9) unterschiedlicher Dicken vorhanden, und die Gate-Elektrode (11) oder ein mit der Gate-Elektrode elektrisch leitend verbundener elektrischer Leiter bedeckt jeden dieser zusätzlichen dielektrischen Bereiche zumindest teilweise.
(EN)On a doped well (2) for a drift section, at least two additional dielectric regions (7, 9) having different thicknesses are present between a first contact region (4) for drain and a second contact region (5) for source on the upper face (10) of the substrate (1), and the gate electrode (11) or an electric conductor, which is electrically conductively connected to the gate electrode, covers each of said additional dielectric regions at least partially.
(FR)Sur une cuvette dopée (2) destinée à une voie de dérive, au moins deux zones diélectriques supplémentaires (7, 9) d'épaisseur différente sont présentes sur la surface (10) du substrat (1) entre une première zone de contact (4) pour le drain et une seconde zone de contact (5) pour la source, et l'électrode de grille (11) ou un conducteur électrique relié de manière électroconductrice à l'électrode de grille couvre au moins partiellement chacune de ces zones diélectriques supplémentaires.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)