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1. (WO2011054454) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM KRISTALLISIEREN EINER AMORPHEN HALBLEITERSCHICHT MIT EINEM LASERSTRAHL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/054454    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2010/006486
Veröffentlichungsdatum: 12.05.2011 Internationales Anmeldedatum: 22.10.2010
IPC:
H05H 1/26 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Anmelder: COHERENT GMBH [DE/DE]; Hans-Böckler-Str. 12 37079 Göttingen (DE) (For All Designated States Except US).
HOCHSCHULE FÜR ANGEWANDTE WISSENSCHAFT UND KUNST FACHHOCHSCHULE HILDESHEIM/HOLZMINDEN/GÖTTINGEN [DE/DE]; Hohnsen 4 31134 Hildesheim (DE) (For All Designated States Except US).
LASER-LABORATORIUM GÖTTINGEN E.V. (LLG) [DE/DE]; Hans-Adolf-Krebs-Weg 1 37077 Göttingen (DE) (For All Designated States Except US).
SCHMIDT, Kai [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PIPPERT, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WIENEKE, Stephan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
VIÖL, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SCHMIDT, Kai; (DE).
PIPPERT, Klaus; (DE).
WIENEKE, Stephan; (DE).
VIÖL, Wolfgang; (DE)
Vertreter: RÖSLER, Uwe; Landsberger Str. 480a 81241 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 050 680.2 26.10.2009 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM KRISTALLISIEREN EINER AMORPHEN HALBLEITERSCHICHT MIT EINEM LASERSTRAHL
(EN) METHOD AND DEVICE FOR CRYSTALLIZING AN AMORPHOUS SEMICONDUCTOR LAYER WITH A LASER BEAM
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE CRISTALLISATION D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE AMORPHE AU MOYEN D'UN FAISCEAU LASER
Zusammenfassung: front page image
(DE)Beschrieben werden ein Verfahren sowie eine Vorrichtung zum Kristallisieren einer amorphen Halbleiterschicht mit einem Laserstrahl, der mit einem homogen ausgeleuchteten Strahlquerschnitt zumindest auf einen Oberflächenbereich der Halbleiterschicht abgebildet wird. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest während der Laserstrahlabbildung auf die Halbleiterschicht zumindest an dem vom Laserstrahl beleuchteten Oberflächenbereich der Halbleiterschicht ein Normaldruckplasma in Form eines ionisierten Gases bereitgestellt wird, das mit der vom Laserstrahl beleuchteten Halbleiterschicht und/oder mit dem Laserstrahl in Wechselwirkung tritt.
(EN)A description is given of a method and a device for crystallizing an amorphous semiconductor layer with a laser beam, which is projected with a homogeneously illuminated beam cross section at least onto a surface region of the semiconductor layer. The invention is distinguished by the fact that, at least during the projection of the laser beam onto the semiconductor layer, at least at the surface region of the semiconductor layer that is illuminated by the laser beam, a normal-pressure plasma is provided in the form of an ionized gas, which interacts with the semiconductor layer illuminated by the laser beam and/or with the laser beam.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif de cristallisation d'une couche semi-conductrice amorphe au moyen d'un faisceau laser qui est appliqué au moins sur une zone de surface de la couche semi-conductrice à l'aide d'une section du faisceau éclairée de manière homogène. L'invention se caractérise en ce qu'au moins pendant l'application du faisceau laser sur la couche semi-conductrice, on prépare, au moins sur la zone de surface de la couche semi-conductrice éclairée par le faisceau laser, un plasma sous pression normale sous la forme d'un gaz ionisé qui entre en interaction avec la couche semi-conductrice éclairée par le faisceau laser et/ou avec le faisceau laser.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)