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1. (WO2011051052) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERSCHICHTEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/051052    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/063713
Veröffentlichungsdatum: 05.05.2011 Internationales Anmeldedatum: 17.09.2010
IPC:
C23C 16/44 (2006.01)
Anmelder: SCHÜCO TF GMBH & CO. KG [DE/DE]; Karolinenstraße 1-15 33609 Bielefeld (DE) (For All Designated States Except US).
SICHLER, Steffen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEIGEL, Sascha [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SICHLER, Steffen; (DE).
WEIGEL, Sascha; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 051 347.7 30.10.2009 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HALBLEITERSCHICHTEN
(EN) METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAYERS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE COUCHES SEMI-CONDUCTRICES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Ein Verfahren zum Herstellen von Halbleiterschichten in einer Beschichtungskammer (1) umfasst die Schritte: A) Auf ein Substrat (2) werden zumindest ein erstes Halbleitermaterial (3) und ein zweites Halbleitermaterial (4) aufgebracht, wobei das erste und zweite Halbleitermaterial (3,4) unterschiedliche Zusammensetzungen aufweisen und das zweite Halbleitermaterial (4) auf dem ersten Halbleitermaterial (3) aufgebracht wird; und B) Nach dem Aufbringen des ersten und zweiten Halbleitermaterials (3,4) wird das Substrat (2) aus der Beschichtungskammer (1) entfernt und Innenoberflächen (11) der Beschichtungskammer (1) werden von zweitem Halbleitermaterial (4') mittels eines ersten Reinigungsverfahrens (5) gereinigt, wobei erstes Halbleitermaterial (3') auf den Innenoberflächen (11) verbleibt.
(EN)The invention relates to a method for producing semiconductor layers in a coating chamber (1), comprising the steps: A) at least one first semiconductor material (3) and one second semiconductor material (4) are applied to a substrate (2), wherein the first and second semiconductor materials (3, 4) have different compositions and the second semiconductor (4) is applied to the first semiconductor material (3); and B) after application of the first and second semiconductor materials (3, 4) the substrate (2) is removed from the coating chamber (1) and inner surfaces (11) of the coating chamber (1) are cleaned of the second semiconductor material (4') by means of a first cleaning method (5), wherein the first semiconductor material (3') remains on the inner surfaces (11).
(FR)L'invention concerne un procédé de production de couches semi-conductrices dans une chambre de revêtement (1), le procédé consistant A) à appliquer sur un substrat (2) au moins un premier matériau semi-conducteur (3) et un second matériau semi-conducteur (4), le premier et le second matériau semi-conducteur (3, 4) présentant une composition différente et le second matériau semi-conducteur (4) étant appliqué sur le premier matériau semi-conducteur (3); et B) à retirer le substrat (2) de la chambre de revêtement (1) après l'application du premier et du second matériau semi-conducteur (3, 4), et à nettoyer les surfaces intérieures (11) de la chambre de revêtement (1) afin d'éliminer le second matériau semi-conducteur (4') au moyen d'un premier procédé de nettoyage (5), le premier matériau semi-conducteur (3') restant sur les surfaces intérieures (11).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)