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1. (WO2011051013) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/051013    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2010/062416
Veröffentlichungsdatum: 05.05.2011 Internationales Anmeldedatum: 25.08.2010
IPC:
H01S 5/10 (2006.01), H01S 5/20 (2006.01), H01S 5/042 (2006.01), H01S 5/32 (2006.01), H01S 5/40 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstraße 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
LAUER, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro [ES/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: LAUER, Christian; (DE).
GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstraße 55 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 051 348.5 30.10.2009 DE
10 2009 056 387.3 30.11.2009 DE
Titel (DE) KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER
(EN) EDGE EMITTING SEMICONDUCTOR LASER
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEURS À ÉMISSION LATÉRALE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2A), eine zweite Wellenleiterschicht (2B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2A) und der zweiten Wellenleiterschicht (2B) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (17) aufweist, der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1A) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1B) angeordnet ist, in dem Halbleiterkörper (10) eine Phasenstruktur (6) zur Selektion lateraler Moden der von der aktiven Schicht (3) emittierten Laserstrahlung ausgebildet ist, wobei die Phasenstruktur (6) mindestens eine Ausnehmung (7) umfasst, die sich von einer Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) in die zweite Mantelschicht (1B) hinein erstreckt, in die zweite Mantelschicht (1B) mindestens eine erste Zwischenschicht (11) aus einem von dem Halbleitermaterial der zweiten Mantelschicht (1B) verschiedenen Halbleitermaterial eingebettet ist, und sich die Ausnehmung (7) von der Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) zumindest teilweise bis in die erste Zwischenschicht (11) erstreckt.
(EN)The invention relates to an edge emitting semiconductor laser, comprising a semiconductor body (10), which has a waveguide region (4), wherein the waveguide region (4) comprises a first waveguide layer (2A), a second waveguide layer (2B) and an active layer (3) arranged between the first waveguide layer (2A) and the second waveguide layer (2B) for generating laser radiation (17). The waveguide region (4) is arranged between a first shell layer (1A) and a second shell layer (1B) following the waveguide region (4) in the growth direction of the semiconductor body (10). A phase structure (6) for selecting lateral modes of the laser radiation emitted by the active layer (3) is arranged in the semiconductor body (10), wherein the phase structure (6) comprises at least one recess (7), which extends from a surface (5) of the semiconductor body (10) into the second shell layer (1B). At least one first intermediate layer (11), which is made of a semiconductor material that is different from the semiconductor material of the second shall layer (1B), is embedded in the second shell layer (1B). The recess (7) extends from the surface (5) of the semiconductor body (10) at least partially into the first intermediate layer (11).
(FR)L'invention concerne un laser à semi-conducteurs à émission latérale comprenant un corps semi-conducteur (10) présentant une zone guide d'ondes (4) constituée d'une première couche guide d'ondes (2A), d'une seconde couche guide d'ondes (2B) et d'une couche active (3) disposée entre la première couche guide d'ondes (2A) et la seconde couche guide d'ondes (2B) pour produire un rayonnement laser (17), ladite zone guide d'ondes (4) étant disposée entre une première couche formant gaine (1A) et une seconde couche formant gaine (1B) suivant la zone guide d'ondes dans la direction de croissance du corps semi-conducteur (10), une structure de phase (6) qui permet la sélection de modes latéraux du rayonnement laser émis par la couche active étant formée dans le corps semi-conducteur (10), ladite structure de phase (6) comprenant au moins un évidement (7) qui s'étend d'une surface (5) du corps semi-conducteur (10) jusque dans la seconde couche formant gaine (1B), au moins une première couche intermédiaire (11) constituée d'un matériau semi-conducteur différent du matériau semi-conducteur dont est constituée la seconde couche formant gaine (1B) étant insérée dans la seconde couche formant gaine (1B) et l'évidement (7) s'étendant de la surface (5) du corps semi-conducteur (10) au moins en partie jusque dans la première couche intermédiaire (11).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)