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1. (WO2011035848) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE ODER EINES TRANSISTORS MIT EINER KRISTALLINEN SILIZIUM-DÜNNSCHICHT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/035848    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/005365
Veröffentlichungsdatum: 31.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 01.09.2010
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    16.03.2011    
IPC:
H01L 21/336 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Anmelder: SCHOTT AG [DE/DE]; Hattenbergstraße 10 55122 Mainz (DE) (For All Designated States Except US).
SPEIT, Burkhard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HANSEN, Rolf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEBER, Urban [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SPEIT, Burkhard; (DE).
HANSEN, Rolf; (DE).
WEBER, Urban; (DE)
Vertreter: BERNGRUBER, Otto; von Puttkamer - Berngruber Türkenstr. 9 80333 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 042 886.0 24.09.2009 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLARZELLE ODER EINES TRANSISTORS MIT EINER KRISTALLINEN SILIZIUM-DÜNNSCHICHT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL OR A TRANSISTOR HAVING A CRYSTALLINE SILICON THIN-FILM LAYER
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE SOLAIRE OU D'UN TRANSISTOR DOTÉ D'UNE COUCHE MINCE DE SILICIUM CRISTALLIN
Zusammenfassung: front page image
(DE)Zur Herstellung einer Dünnschichtsolarzelle oder eines Dünnschichttransistors werden auf der Oberfläche des Substrats (1) kristalline Siliziumteilchen fixiert, worauf eine kristalline Silizium-Dünnschicht aus verschiedenen Teilschichten (2) epitaktisch abgeschieden wird.
(EN)In order to produce a thin-film solar cell or a thin-film transistor, crystalline silicon particles are fixed on the surface of the substrate (1), whereupon a crystalline silicone thin-film layer is epitaxially precipitated from different partial layers (2).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une cellule solaire en couches minces ou d'un transistor à couches minces, selon lequel des particules de silicium cristallin sont fixées sur la surface du substrat (1) puis une couche mince de silicium cristallin constituée de différentes sous-couches (2) est déposée par épitaxie.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)