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1. (WO2011035748) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM RÜCKÄTZEN EINER HALBLEITERSCHICHT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/035748    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2010/000168
Veröffentlichungsdatum: 31.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 15.02.2010
IPC:
H01L 21/00 (2006.01), H01L 31/18 (2006.01)
Anmelder: RENA GMBH [DE/DE]; Ob der Eck 5 78148 Gütenbach (DE) (For All Designated States Except US).
DELAHAYE, Franck [FR/DE]; (DE) (For US Only).
SAULE, Werner [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WEFRINGHAUS, Eckard [DE/DE]; (DE) (For US Only).
QUEISSER, Steffen [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: DELAHAYE, Franck; (DE).
SAULE, Werner; (DE).
WEFRINGHAUS, Eckard; (DE).
QUEISSER, Steffen; (DE)
Vertreter: HEYERHOFF & GEIGER; Heiligenbreite 52 88662 Überlingen (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 042 288.9 22.09.2009 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM RÜCKÄTZEN EINER HALBLEITERSCHICHT
(EN) METHOD AND DEVICE FOR ETCHING BACK A SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ ET DISPOSITIF D'AMINCISSEMENT PAR GRAVURE CHIMIQUE D'UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Verfahren zum wenigstens teilweisen Rückätzen einer Halbleiterschicht (1) eines Substrats (3), bei welchem das Substrat (3) zumindest teilweise in einer Ätzlösung (5) angeordnet wird und bei welchem außerhalb der Ätzlösung (5) gelegene Bereiche der Halbleiterschicht (3) mittels der Ätzlösung (5) entstammender reaktiver Dämpfe (11) wenigstens zum Teil abgetragen werden sowie Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens.
(EN)The invention relates to a method for at least partially etching back a semiconductor layer (1) of a substrate (3), wherein the substrate (3) is arranged at least partially in an etching solution (5) and wherein areas of the semiconductor layer (3) located outside the etching solution (5) are at least partially removed by means of reactive vapors (11) originating from the etching solution (5), and a device for performing the method.
(FR)L'invention concerne un procédé d'amincissement par gravure chimique d'au moins partiellement une couche semi-conductrice (1) d'un substrat (3), selon lequel le substrat (3) est disposé au moins partiellement dans un bain de morsure (5) et selon lequel les zones de la couche semi-conductrice (3) situées hors du bain de morsure (5) sont au moins partiellement enlevées par les vapeurs réactives (11) émanant du bain de morsure (5). L'invention concerne également un dispositif pour la mise en oeuvre du procédé.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)