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1. (WO2011033070) KRISTALLINE SOLARZELLE, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLARZELLENMODULS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/033070    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/063710
Veröffentlichungsdatum: 24.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 17.09.2010
IPC:
H01L 31/02 (2006.01), H01L 31/0216 (2006.01), H01L 31/0224 (2006.01), H01L 31/048 (2006.01), H01L 31/068 (2012.01)
Anmelder: SCHOTT SOLAR AG [DE/DE]; Hattenbergstr. 10 55122 Mainz (DE) (For All Designated States Except US).
NAGEL, Henning [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: NAGEL, Henning; (DE)
Vertreter: STOFFREGEN, Hans-Herbert; Friedrich-Ebert-Anlage 11b 63450 Hanau (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 044 052.6 18.09.2009 DE
Titel (DE) KRISTALLINE SOLARZELLE, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SOLCHEN SOWIE VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES SOLARZELLENMODULS
(EN) CRYSTALLINE SOLAR CELL, METHOD FOR PRODUCING SAID TYPE OF SOLAR CELL AND METHOD FOR PRODUCING A SOLAR CELL MODULE
(FR) CELLULE SOLAIRE CRISTALLINE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE TELLE CELLULE SOLAIRE ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN MODULE SOLAIRE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf eine kristalline Solarzelle (10) mit einem frontseitigen n-dotierten Bereich (14) und einem rückseitigen p-dotierten Bereich (16), einem Frontseitenkontakt (18, 20), einem Rückseitenkontakt (24) und zumindest einer frontseitigen ersten Schicht aus SiN (22). Um eine Degradation des Parallelwiderstandes zu reduzieren, wird vorgeschlagen, dass zwischen der ersten Schicht und dem n-dotierten Bereich eine zweite Schicht (26) aus zumindest einem Material aus der Gruppe SiN, SiOx, Al2Ox, SiOxNy: Hz, a-Si:H, TiOx oder ein solches Material enthaltend angeordnet und zur Bildung von Störstellen dotiert ist.
(EN)The invention relates to a crystalline solar cell comprising a front-sided n-doped area and a rear-sided p-doped area, a front-sided contact, a rear-sided contact and at least one front-sided first layer made from SiN. In order to reduce degradation of the parallel resistance, a second layer made of at least one material selected from the group SiN, SiOx, Al2Ox, SiOxNy: Hz, a-Si:H, TiOx or containing said type of material is disposed between the first layer and the n-doped area and is then doped for forming imperfections.
(FR)L'invention concerne ces cellules solaires cristallines dotées d'une zone dopée n frontale et d'une zone dopé p arrière, un contact frontal, un contact arrière et au moins une première couche frontale en SiN. Pour réduire une dégradation de la résistance parallèle, une deuxième couche réalisée dans au moins un matériau sélectionné dans le groupe SiN, SiOx, Al2Ox, SiOxNy: Hz, a-Si:H, TiOx ou contenant un tel matériau est disposée entre la première couche et la zone dopée n, et ensuite elle est dopée pour la formation d'imperfections
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)