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1. (WO2011032546) SEMIPOLARE WURTZITISCHE GRUPPE-III-NITRID BASIERTE HALBLEITERSCHICHTEN UND DARAUF BASIERENDE HALBLEITERBAUELEMENTE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/032546    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2010/001094
Veröffentlichungsdatum: 24.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 16.09.2010
IPC:
H01L 21/20 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01)
Anmelder: AZZURRO SEMICONDUCTORS AG [DE/DE]; Universitätsplatz 2 39106 Magdeburg (DE) (For All Designated States Except US).
DADGAR, Armin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KROST, Alois [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RAVASH, Roghaiyeh [IR/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: DADGAR, Armin; (DE).
KROST, Alois; (DE).
RAVASH, Roghaiyeh; (DE)
Vertreter: ECKEY, Ludger; Eisenführ, Speiser & Partner Anna-Louisa-Karsch-Strasse 2 10178 Berlin (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 042 349.4 20.09.2009 DE
Titel (DE) SEMIPOLARE WURTZITISCHE GRUPPE-III-NITRID BASIERTE HALBLEITERSCHICHTEN UND DARAUF BASIERENDE HALBLEITERBAUELEMENTE
(EN) SEMI-POLAR, WURTZITE-TYPE, GROUP III NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR LAYERS AND SEMICONDUCTOR COMPONENTS BASED THEREON
(FR) COUCHES DE SEMICONDUCTEURS À BASE DE NITRURE DU GROUPE III DE TYPE WURTZITE, SEMI-POLAIRES, ET COMPOSANTS À SEMICONDUCTEURS PRODUITS SUR LA BASE DE CES COUCHES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Gruppe-III-Nitridschichten haben einen großen Einsatzbereich in der Elektronik und der Optoelektronik. Das Wachstum solcher Schichten erfolgt in der Regel auf Substraten wie Saphir, SiC und neuerdings Si(111). Die dabei erzielten Schichten sind in der Regel in Wachstumsrichtung polar bzw. c-achsenorientiert. Für viele Anwendungen in der Optoelektronik, aber auch akustischen Anwendungen in SAWs ist das Wachstum von un- oder semipolaren Gruppe-III-Nitridschichten interessant bzw. notwendig. Das Verfahren ermöglicht das einfache und preiswerte Wachstum von polarisationsreduzierten Gruppe-III-Nitridschichten ohne eine vorherige Strukturierung des Substrats.
(EN)The invention relates to semi-polar, wurtzite-type, group III nitride based semiconductor layers and semiconductor components based thereon. According to the invention, group III nitride layers can be used in a plurality of ways in electronic and optoelectronic fields. The growth of said types of layers occurs, as a rule, on substrates such as sapphire, SiC and recently Si (111). The obtained layers are, as a rule, oriented in the direction of growth in a polar and/or c-axis manner. For many optoelectronic applications, and also for acoustic applications in SAWs, the growth of non or semipolar group III nitride layers is interesting and/or necessary. Said method enables the polarisation reduced group III nitride layers to grow in a simple and economical manner without prior structuring of the substrate.
(FR)1. Couches de semiconducteurs à base de nitrure du groupe III de type wurtzite, semi-polaires, et composants à semiconducteurs produits sur la base de ces couches. 2. Les couches de nitrure du groupe III trouvent de nombreuses applications en électronique et optoélectronique. La croissance de telles couches s'effectue généralement sur des substrats tels que le saphir, le SiC et plus récemment le Si (111). Les couches ainsi obtenues sont généralement orientées dans le sens de croissance de façon polaire ou dans l'axe c. La croissance de couches de nitrure du groupe III, non polaires ou semi-polaires, est intéressante voire nécessaire pour de nombreuses applications en optoélectronique, mais également pour des applications acoustiques dans des dispositifs à ondes acoustiques de surface. Le procédé selon l'invention permet une croissance aisée et peu onéreuse de couches de nitrure de type III, à polarisation réduite, sans nécessiter une structuration préalable du substrat.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)