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1. (WO2011029742) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ERFASSUNG VON ELEKTROMAGNETISCHER THZ-STRAHLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/029742    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/062644
Veröffentlichungsdatum: 17.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 30.08.2010
IPC:
H01Q 9/26 (2006.01), H01Q 23/00 (2006.01), H01Q 1/24 (2006.01), H03D 7/14 (2006.01)
Anmelder: BERGISCHE UNIVERSITÄT WUPPERTAL [DE/DE]; Gaußstraße 20 42119 Wuppertal (DE) (For All Designated States Except US).
PFEIFFER, Ullrich [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ÖJEFORS, Erik [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: PFEIFFER, Ullrich; (DE).
ÖJEFORS, Erik; (DE)
Vertreter: SIEBERT, Karsten; WSL Patentanwälte Partnerschaftsgesellschaft Postfach 61 45 65051 Wiesbaden (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 029 447.3 14.09.2009 DE
Titel (DE) VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR ERFASSUNG VON ELEKTROMAGNETISCHER THZ-STRAHLUNG
(EN) DEVICE AND METHOD FOR DETECTING ELECTROMAGNETIC TERAHERTZ RADIATION
(FR) APPAREIL ET PROCÉDÉ POUR LA DÉTECTION D'UN RAYONNEMENT ÉLECTROMAGNÉTIQUE THZ
Zusammenfassung: front page image
(DE)Kohärente heterodyne THz-Empfänger sind in einer Reihe von Varianten realisiert worden. Mischer für THz-Empfänger werden in der Regel als Schottky-Diodenmischer gebaut. Schottky-Dioden bieten die höchsten Cut-off-Frequenzen bei den Halbleiterbauelementen und daher die beste Empfängerleistung bei hohen Frequenzen. Jedoch sind Hochleistungs-Schottky-Dioden nicht in Siliziumtechnologie verfügbar, was die Implementierung in integrierten Empfängerschaltkreisen schwierig oder unmöglich macht. Demgegenüber ist es Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Vorrichtung zur kohärenten Erfassung von elektromagnetischer Strahlung im THz-Frequenzbereich bereitzustellen, bei welcher der Mischer in der gleichen Halbleitertechnologie ausgeführt werden kann wie beispielsweise der Lokaloszillator zur Erzeugung des Lokaloszillatorsignals oder andere für den Betrieb des Empfängers benötigte Komponenten. Dazu wird erfindungsgemäß vorgeschlagen, eine Vorrichtung zur kohärenten Erfassung von elektromagnetischer Strahlung im THz-Frequenzbereich bereitszustellen, mit einer symmetrischen Antenne für die zu erfassende THz-Strahlung mit zwei Ausgangsanschlüssen und einem Symmetriepunkt, einer Einspeiseleitung für ein Lokaloszillatorsignal, die elektrisch leitend mit dem Symmetriepunkt der Antenne verbunden ist, und einem Mischer zum Mischen eines aus der zu erfassenden THz-Strahlung resultierenden THz-Signals mit einem Lokaloszillatorsignal, wobei der Mischer zwei Transistoren aufweist, wobei jeder Transistor mit jeweils einem Ausgangsanschluss der Antenne elektrisch verbunden ist.
(EN)The invention relates to coherent heterodyne THz receivers carried out in a series of variants. Mixers for THz receivers are generally constructed as Schottky diode mixers. Schottky diodes provide the highest cut-off frequencies in semiconductor components and, therefore, the best receiver performance at high frequencies. High-performance Schottky diodes, however, are not available using silicon technology, making implementation in integrated receiver circuits difficult or impossible. Therefore, the problem of the present invention is to provide a device for coherently capturing electromagnetic radiation in the THz frequency range, wherein the mixer can be designed in the same semiconductor technology as, for example, the local oscillator for generating the local oscillator signal, or other components required for operating the receiver. To this end, a device for coherently capturing electromagnetic radiation in the THz frequency range is provided, comprising a symmetrical antenna for the THz radiation to be captured having two output connections and a point of symmetry, a feed line for a local oscillator signal that is electrically connected to the point of symmetry of the antenna, and a mixer for mixing a THz signal resulting from the THz radiation to be captured with a local oscillator signal, wherein the mixer comprises two transistors, wherein each transistor is electrically connected to one output connection of the antenna.
(FR)Des récepteurs hétérodynes cohérents THz ont été réalisés sous la forme d'une série de variantes. Les mélangeurs pour récepteurs THz sont généralement réalisés sous la forme de mélangeurs à diodes Schottky. Les diodes Schottky offrent les fréquences de coupure les plus élevées parmi les composants semiconducteurs et, de ce fait, les meilleures performances de réception aux hautes fréquences. Cependant, il n'existe pas de diodes Schottky pour hautes puissances en technologie silicium, ce qui rend difficile ou impossible leur mise en œuvre dans des circuits intégrés de réception. Dans ces conditions, l'objectif de la présente invention est de fournir un appareil de détection cohérente du rayonnement électromagnétique sur la plage THz, permettant de réaliser le mélangeur avec la même technologie de semiconducteurs que par exemple l'oscillateur local destiné à produire le signal d'oscillateur local ou d'autres composants nécessaires pour le fonctionnement du récepteur. Cet objectif est atteint, selon l'invention, au moyen d'un appareil pour la détection cohérente du rayonnement électromagnétique sur la plage THz, comprenant une antenne symétrique pour le rayonnement THz à détecter, pourvue de deux raccordements de sortie et d'un point de symétrie, une ligne d'alimentation pour un signal d'oscillateur local qui est reliée de façon électriquement conductrice au point de symétrie de l'antenne et un mélangeur destiné à mélanger un signal THz obtenu à partir du rayonnement THz à détecter avec un signal d'un oscillateur local. Le mélangeur comprend deux transistors, chacun d'entre eux étant relié électriquement à l'un des raccordements de sortie de l'antenne.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)