WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2011026670) ANLAGE UND VERFAHREN ZUR STEUERUNG DER ANLAGE FÜR DIE HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILIZIUM
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/026670    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2010/059649
Veröffentlichungsdatum: 10.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 06.07.2010
IPC:
C01B 33/035 (2006.01), B01J 19/00 (2006.01), G01N 1/22 (2006.01), G01N 30/00 (2006.01)
Anmelder: G+R TECHNOLOGY GROUP AG [DE/DE]; Bayernstraße 16 93128 Regenstauf (DE) (For All Designated States Except US).
STÖCKLINGER, Robert [AT/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: STÖCKLINGER, Robert; (DE)
Vertreter: REICHERT, Werner, F.; Bismarckplatz 8 93047 Regensburg (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 043 946.3 04.09.2009 DE
12/581,552 19.10.2009 US
Titel (DE) ANLAGE UND VERFAHREN ZUR STEUERUNG DER ANLAGE FÜR DIE HERSTELLUNG VON POLYKRISTALLINEM SILIZIUM
(EN) INSTALLATION AND METHOD FOR CONTROLLING THE INSTALLATION FOR THE PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON
(FR) INSTALLATION ET PROCÉDÉ DE COMMANDE DE L'INSTALLATION POUR LA PRODUCTION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es ist eine Anlage und ein Verfahren für die Herstellung von polykristallinem Silizium nach dem Monosilan-Prozess offbart. Es ist mindestens ein Reaktor (10), mindestens ein Konverter (20), mindestens ein Injektionstank (30) und mindestens ein Verdampfer (40) vorgesehen. Jeder Reaktor (10) besitzt eine Zuleitung (11a) für frisches Gasgemisch und eine Ableitung (11b) für zum Teil verbrauchtes Gasgemisch. Ebenso umfasst jeder Konverter (20) eine Ableitung (21) für ein Gasgemisch und jeder Verdampfer (40) besitzt eine Ableitung (41) für ein Gasgemisch. Es sind mehrere Entnahmeelemente (7) für Messproben in der Zuleitung (11a) und der Ableitung (11b) eines jeden Reaktors (10) sowie in der Ableitung (21) eines jeden Konverters (20) und der Ableitung (41) eines jeden Verdampfers (40) vorgesehen. Mindestens einem Gaschromatographen (2) werden die entnommenen Messproben über jeweils eine Leitung (8) von den Entnahmeelementen (7) her zugeführt.
(EN)The invention relates to an installation and a method for the production of polycrystalline silicon in a monosilane process. The installation comprises at least one reactor (10), at least one converter (20), at least one injection reservoir (30) and at least one evaporator (40). Every reactor (10) has a feed line (11a) for a fresh gas mixture and a discharge line (41) for the partially consumed gas mixture. Every converter (20) has a feed line (41) for a gas mixture and every evaporator (40) has a discharge line (41) for a gas mixture. The installation further comprises a plurality of sampling elements (7) for test samples in the feed line (11a) and the discharge line (11b) of every reactor (10) and in the discharge line (21) of every converter (20) and the discharge line (41) of every evaporator (40). The sampling elements (7) supply the test samples taken to at least one gas chromatograph (2) via respective lines (8).
(FR)L'invention concerne une installation et un procédé de production de silicium polycristallin selon le procédé monosilane. L'installation comprend au moins un réacteur (10), au moins un convertisseur (20), au moins un réservoir d'injection (30) et au moins un évaporateur (40). Chaque réacteur (10) possède une conduite d'alimentation (11a) pour un mélange gazeux frais et une conduite de dérivation (11b) pour un mélange gazeux en partie épuisé. De même, chaque convertisseur (20) comprend une conduite de dérivation (21) pour un mélange gazeux et chaque évaporateur (40) possède une conduite de dérivation (41) pour un mélange gazeux. Plusieurs éléments de prélèvement (7) pour des échantillons pour essai sont prévus dans la conduite d'alimentation (11a) et la conduite de dérivation (11b) de chaque réacteur (10) ainsi que dans la conduite de dérivation (21) de chaque convertisseur (20) et dans la conduite de dérivation (41) de chaque évaporateur (40). Les échantillons prélevés pour essai sont cédés à un moins un chromatographe de gaz (2) via respectivement une conduite (8) par les éléments de prélèvement (7).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)