WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2011023749) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON WAFERN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/023749    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/062453
Veröffentlichungsdatum: 03.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 26.08.2010
IPC:
C30B 29/06 (2006.01), C30B 33/00 (2006.01), B28D 5/00 (2006.01)
Anmelder: GEBR. SCHMID GMBH & CO. [DE/DE]; Robert-Bosch-Straße 32 - 34 72250 Freudenstadt (DE) (For All Designated States Except US).
WIEDMANN, Werner [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: WIEDMANN, Werner; (DE)
Vertreter: RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER & PARTNER; Postfach 10 40 36 70035 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 040 503.8 31.08.2009 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON WAFERN
(EN) METHOD FOR PRODUCING WAFERS
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE PLAQUETTES DE SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Beschrieben wird ein Verfahren zur Herstellung von Wafern aus Siliziumblöcken, wobei ein Siliziumblock über eine Klebeschicht auf einem Träger fixiert wird, der Siliziumblock in Waferscheiben zerteilt wird und die Waferscheiben von dem Träger abgelöst werden, wobei zwischen der Oberfläche des Siliziumblocks und der Klebeschicht zusätzlich ein dünner, polymerbasierter Trennfilm angeordnet wird.
(EN)The invention relates to a method for producing wafers from silicon blocks, wherein a silicon block is fixed on a substrate via an adhesive layer. The silicon block is divided into wafer slices and the wafer slices are separated from the substrate. Additionally, a thin, polymer-based separating layer lies between the surface of the silicon blocks and the adhesive layer.
(FR)L'invention concerne un procédé de production de plaquettes de semi-conducteurs, à partir de blocs de silicium, un bloc de silicium étant fixé, via une couche d'adhésif, sur un support, le bloc de silicium étant divisé en tranches, et les tranches étant détachées du support. Il est prévu de disposer en plus, entre la surface du bloc de silicium et la couche adhésive, un film mince de séparation, à base de polymère.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)