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1. (WO2011023607) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER STRUKTUR EINES TRANSISTORS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/023607    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2010/062008
Veröffentlichungsdatum: 03.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 18.08.2010
IPC:
H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/778 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastraße 27c 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
KÖHLER, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MÜLLER, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WALTEREIT, Patrick [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KÖHLER, Klaus; (DE).
MÜLLER, Stefan; (DE).
WALTEREIT, Patrick; (DE)
Vertreter: GOEDEN, Christian; Balanstraße 55 81541 München (DE)
Prioritätsdaten:
102009028918.6 26.08.2009 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER STRUKTUR EINES TRANSISTORS
(EN) METHOD FOR DETERMINING THE STRUCTURE OF A TRANSISTOR
(FR) PROCÉDÉ POUR DÉTERMINER LA STRUCTURE D'UN TRANSISTOR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Struktur zumindest eines Transistors, welcher zumindest eine erste Schicht, eine zweite Schicht und eine vierte Schicht enthält, wobei die vierte Schicht auf der zweiten Schicht und die zweite Schicht auf der ersten Schicht angeordnet ist, die erste Schicht GaN enthält, die zweite Schicht AlxGai1_xN und die vierte Schicht ein Metall oder eine Legierung enthält, wobei das Verfahren die folgenden Schritte enthält: Festlegen der Schichtdicke der zweiten Schicht, Festlegen des Aluminium-Gehaltes x der zweiten Schicht, Herstellen von zumindest der zweiten Schicht und der ersten Schicht, Bestimmen des Oberflächenpotentials Formula (I) und/oder der Ladungsträgerdichte ns und/oder der Ladungsträgerbeweglichkeit μ nach der Herstellung der zweiten Schicht und der ersten Schicht und Auswählen des Materials der vierten Schicht in Abhängigkeit des zumindest einen Messergebnisses.
(EN)The invention relates to a method for determining the structure of at least one transistor comprising at least one first layer, one second layer, and one fourth layer, wherein the fourth layer is disposed on the second layer and the second layer is disposed on the first layer, the first layer comprises GaN, the second layer comprises AlxGai1_xN, and the fourth layer comprises a metal or an alloy, wherein the method comprises the following steps: setting the layer thickness of the second layer, setting the aluminum content x of the second layer, producing at least the second layer and the first layer, determining the surface potential of formula (I) and/or the charge carrier density ns and/or the charge carrier motility μ after producing the second layer and the first layer, and selecting the material of the fourth layer as a function of the at least one measurement result.
(FR)L'invention concerne un procédé destiné à déterminer la structure d'au moins un transistor, qui contient au moins une première couche, une deuxième couche et une quatrième couche, la quatrième couche étant disposée sur la deuxième couche et la deuxième couche sur la première couche, la première couche contenant du GaN, la deuxième couche du AlxGai1-xN et la quatrième couche un métal ou un alliage, le procédé incluant les étapes suivantes : fixation de l'épaisseur de la deuxième couche, fixation de la teneur en aluminium x de la deuxième couche, fabrication au moins de la deuxième couche et de la première couche, détermination du potentiel de surface formule (I) et/ou de la densité du support de charge ns et/ou de la mobilité du support de charge μ après la fabrication de la deuxième couche et de la première couche, et choix du matériau de la quatrième couche en fonction d'au moins un résultat de mesure.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)