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1. (WO2011023551) HALBLEITERLASER MIT AUF EINEM LASERSPIEGEL ANGEBRACHTEM ABSORBER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/023551    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/061687
Veröffentlichungsdatum: 03.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 11.08.2010
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    01.04.2011    
IPC:
H01S 5/028 (2006.01), G01N 21/39 (2006.01)
Anmelder: NANOPLUS GMBH NANOSYSTEMS AND TECHNOLOGIES [DE/DE]; Oberer Kirschberg 4 97218 Gerbrunn (DE) (For All Designated States Except US).
KOETH, Johannes Bernhard [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KOETH, Johannes Bernhard; (DE)
Vertreter: WEGNER, Hans; Bardehle Pagenberg Prinzregentenplatz 7 81675 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 028 909.7 26.08.2009 DE
Titel (DE) HALBLEITERLASER MIT AUF EINEM LASERSPIEGEL ANGEBRACHTEM ABSORBER
(EN) SEMICONDUCTOR LASER WITH ABSORBER APPLIED TO A LASER MIRROR
(FR) LASER À SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT UN ABSORBANT APPLIQUÉ SUR UN MIROIR LASER
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Halbleiterlaser mit zumindest einem Halbleitersubstrat (10), zumindest einer auf dem Halbleitersubstrat (10) angeordneten aktiven Schicht (20), die Strahlung in einem Wellenlängenbereich erzeugt, zumindest einen Laserspiegel (40), der an einem Ende der aktiven Schicht (20) senkrecht zu dieser angebracht ist, durch den ein Teil der in der aktiven Schicht (20) erzeugten Strahlung austritt, der mit einer Schicht absorbierenden Materials (50, 60) versehen ist, die geeignet ist, die Steigung der Lichtleistungs-Strom-Kennlinie für Strahlung, die durch den Laserspiegel (40) austritt, zu verringern.
(EN)The invention relates to a semiconductor laser with at least one semiconductor substrate (10), at least one active layer (20), which is arranged on the semiconductor substrate (10) and generates radiation in one wavelength region, at least one laser mirror (40), which is fitted to one end of the active layer (20) perpendicular thereto and through which some of the radiation generated in the active layer (20) emerges and which is provided with a layer of absorbing material (50,60), which is suitable for reducing the gradient of the luminous efficacy/current characteristic for radiation which emerges through the laser mirror (40).
(FR)L'invention concerne un laser à semi-conducteurs comportant au moins un substrat semi-conducteur (10), au moins une couche active (20) située sur le substrat semi-conducteur (10) et produisant un rayonnement dans une plage de longueurs d'onde, au moins un miroir laser (40) disposé à une extrémité de la couche active (20) perpendiculairement à celle-ci et de laquelle sort une partie du rayonnement produit dans la couche active (20), ledit miroir étant pourvu d'une couche de matériau absorbant (50, 60) apte à réduire la pente de la courbe caractéristique puissance lumineuse/courant pour le rayonnement sortant du miroir laser (40).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)