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1. (WO2011023451) THERMOELEKTRISCHE VORRICHTUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/023451    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/060186
Veröffentlichungsdatum: 03.03.2011 Internationales Anmeldedatum: 15.07.2010
IPC:
H01L 35/32 (2006.01)
Anmelder: EMITEC GESELLSCHAFT FÜR EMISSIONSTECHNOLOGIE MBH [DE/DE]; Hauptstrasse 128 53797 Lohmar (DE) (For All Designated States Except US).
BRÜCK, Rolf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LIMBECK, Sigrid [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BRÜCK, Rolf; (DE).
LIMBECK, Sigrid; (DE)
Vertreter: RÖSSLER, Matthias; KNH Patentanwälte Kahlhöfer Neumann Rößler Heine Karlstrasse 76 40210 Düsseldorf (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 039 228.9 28.08.2009 DE
Titel (DE) THERMOELEKTRISCHE VORRICHTUNG
(EN) THERMOELECTRIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Thermoelektrische Vorrichtung (1) aufweisend zumindest einen ersten Strömungskanal (8) und zumindest einen zweiten Strömungskanal (9) mit - wenigstens einer dem zumindest einen ersten Strömungskanal (8) zugeordneten ersten Trägerschicht (3) und wenigstens einer dem zumindest einen zweiten Strömungskanal (9) zugeordneten zweiten Trägerschicht (4), wenigstens einem Zwischenraum (5) zwischen der ersten Träger-Schicht (3) und der zweiten Trägerschicht (4), einer Mehrzahl von p- und n-dotierten Halbleiterelementen (7), die in dem wenigstens einen Zwischenraum (5) angeordnet und elektrisch miteinander verbunden sind, wobei eine relative erste thermische Ausdehnung der ersten Träger-Schicht und eine relative zweite Ausdehnung der zweiten Trägerschicht unter Betriebsbedingungen gleich sind. Weiterhin werden geeignete Materialien für die erste und zweite Trägerschicht angegeben, die den Einsatz solcher thermoelektrischen Vorrichtungen (1) in einem Abgassystem eines Kraftfahrzeuges begünstigen.
(EN)The invention relates to a thermoelectric device (1) comprising at least one first flow channel (8) and at least one second flow channel (9), having - at least one first substrate (3) associated with the at least one first flow channel (8) and at least one second substrate (4) associated with the at least one second flow channel (9), at least one gap (5) between the first substrate (3) and the second substrate (4), a plurality of p and n-doped semiconductor elements (7) that are disposed in the at least one gap (5) and are electrically interconnected, wherein a relative first thermal expansion of the first substrate and a relative second expansion of the second substrate are equal under operating conditions. The invention further relates to suitable materials for the first and second substrate that promote the use of such thermoelectric devices (1) in an exhaust system of a motor vehicle.
(FR)L'invention concerne un dispositif thermoélectrique (1) présentant au moins un premier canal d'écoulement (8) et au moins un deuxième canal d'écoulement (9), comprenant - au moins une première couche support (3) affectée audit au moins premier canal d'écoulement (8) et au moins une deuxième couche support (4) affectée audit au moins deuxième canal d'écoulement (9), - au moins un interstice (5) entre la première couche support (3) et la deuxième couche support (4), - une pluralité d'éléments semi-conducteurs (7) dopés p et n qui sont disposés dans ledit au moins un interstice (5) et sont électriquement interconnectés. Une première dilatation thermique relative de la première couche support et une deuxième deuxième dilatation relative de la deuxième couche support sont identiques dans des conditions de fonctionnement. L'invention concerne également des matériaux qui sont appropriés pour la première et la deuxième couche support et favorisent l'utilisation de tels dispositifs thermoélectriques (1) dans un système d'échappement d'un véhicule à moteur.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)