WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2011006866) HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN UNIPOLARES HALBLEITER-BAUELEMENT UND HALBLEITERVORRICHTUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/006866    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2010/059976
Veröffentlichungsdatum: 20.01.2011 Internationales Anmeldedatum: 12.07.2010
IPC:
H01L 29/08 (2006.01), H01L 29/20 (2006.01), H01L 29/24 (2006.01), H01L 29/36 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg (DE) (For All Designated States Except US).
ELPELT, Rudolf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FRIEDRICHS, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: ELPELT, Rudolf; (DE).
FRIEDRICHS, Peter; (DE)
Vertreter: BICKEL, Michael; Westphal Mussgnug & Partner Herzog-Wilhelm-Str. 26 80331 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2009 033 302.9 15.07.2009 DE
Titel (DE) HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR EIN UNIPOLARES HALBLEITER-BAUELEMENT UND HALBLEITERVORRICHTUNG
(EN) PRODUCTION METHOD FOR A UNIPOLAR SEMICONDUCTOR COMPONENT AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR UNIPOLAIRE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Herstellungsverfahren für ein unipolares Halbleiter-Bauelement mit einer Driftschicht (16) mit dem Schritt: Bilden der Driftschicht (16) mit einer kontinuierlich fallenden Konzentration einer Ladungsträger-Dotierung (n) entlang der Wachstumsrichtung (19) der Driftschicht (16) durch epitaktisches Abscheiden eines Materials der Driftschicht (16), welches mindestens ein Wide-Bandgap-Material umfasst. Durch die Verwendung von Siliziumkarbid für die durch das epitaktische Abscheiden gebildete Driftschicht (16) ist eine nachträgliche Veränderung der kontinuierlich fallenden Konzentration der Ladungsträger-Dotierung (n) aufgrund einer Diffusion der Dotieratome bei nachfolgenden Prozessen unterbunden. Insbesondere ist mittels des Herstellungsverfahrens ein unipolares Halbleiter-Bauelement mit einer Driftschicht (16), welche ein vorteilhaftes Verhältnis aus einer vergleichsweise großen Sperrspannung bei relativ niedrigen Durchlassverlusten aufweist, auf einfache Weise und/oder kostengünstig realisierbar. Das unipolare Halbleiter-Bauelement kann ein aktives Halbleiter-Bauelement oder ein passives Halbleiter-Bauelement sein. Des Weiteren betrifft die Erfindung eine Halbleitervorrichtung (10).
(EN)The invention relates to a production method for a unipolar semiconductor component having a drift layer (16), comprising the following step: forming the drift layer (16) with a continuously decreasing concentration of a charge carrier doping (n) along the growth direction (19) of the drift layer (16) by way of epitaxial precipitation of the material of the drift layer (16), which comprises at least one wide band gap material. By using silicon carbide for the drift layer (16) formed by the epitaxial precipitation, a subsequent change of the continuously decreasing concentration of the charge carrier doping (n) due to a diffusion of the dopant atoms in downstream processes is suppressed. The production method can be used in particular to implement a unipolar semiconductor component comprising a drift layer (16), which component has an advantageous ratio of a comparatively high reverse bias voltage with relatively low forward losses, in a simple and/or cost-effective manner. The unipolar semiconductor component can be an active semiconductor component or a passive semiconductor component. The invention furthermore relates to a semiconductor device (10).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur unipolaire comportant une couche de dérive (16), qui consiste à former la couche de dérive (16) présentant une concentration en baisse continue d'un dopant porteur de charge (n) dans la direction de croissance (19) de la couche de dérive (16), par dépôt épitaxique d'un matériau de la couche de dérive (16) qui contient au moins un matériau large bande interdite. L'utilisation de carbure de silicium pour la couche de dérive (16) formée par dépôt épitaxique permet d'empêcher une modification a posteriori de la concentration en baisse continue du dopant porteur de charge (n) en raison d'une diffusion des atomes dopants lors des processus ultérieurs. Le procédé selon l'invention permet de réaliser de manière simple et/ou économique un composant semi-conducteur unipolaire comportant une couche de dérive (16) qui présente un rapport avantageux entre une tension inverse comparativement élevée et des pertes relativement faibles. Le composant semi-conducteur unipolaire peut être un semi-conducteur unipolaire actif ou un semi-conducteur unipolaire passif. L'invention concerne par ailleurs un dispositif semi-conducteur (10).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)