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1. (WO2011003949) VERFAHREN UND ANLAGE ZUR HERSTELLUNG VON MONOSILAN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2011/003949    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2010/059748
Veröffentlichungsdatum: 13.01.2011 Internationales Anmeldedatum: 07.07.2010
IPC:
B01D 3/00 (2006.01), C01B 33/04 (2006.01)
Anmelder: SCHMID SILICON TECHNOLOGY GMBH [DE/DE]; Robert-Bosch-Straße 32 - 34 72250 Freudenstadt (DE) (For All Designated States Except US).
PETRIK, Adolf [UA/DE]; (DE) (For US Only).
SCHMID, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HAHN, Jochem [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: PETRIK, Adolf; (DE).
SCHMID, Christian; (DE).
HAHN, Jochem; (DE)
Vertreter: PATENTANWÄLTE RUFF, WILHELM, BEIER, DAUSTER & PARTNER; Postfach 10 40 36 70035 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
102009032833.5 08.07.2009 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND ANLAGE ZUR HERSTELLUNG VON MONOSILAN
(EN) METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING MONOSILANE
(FR) PROCÉDÉ ET INSTALLATION POUR LA FABRICATION DE MONOSILANE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Beschrieben wird eine Anlage zur Herstellung von Monosilan, umfassend eine Reaktionskolonne (100) mit einem Zulauf (101) für Trichlorsilan und einem Ablauf (102) für anfallendes Siliziumtetrachlorid sowie mindestens einen Kondensator (103), über den hergestelltes Monosilan aus der Reaktionskolonne abgeführt werden kann, wobei die Reaktionskolonne mindestens zwei reaktiv/destillative Reaktionsbereiche (104, 105) aufweist, die bei unterschiedlichen Temperaturen betrieben werden und die unterschiedliche katalytisch wirkende Feststoffe enthalten. Des weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung von Monosilan durch katalytische Disproportionierung von Trichlorsilan beschrieben, bei dem die Disproportionierung in mindestens zwei reaktiv/destillativen Reaktionsbereichen (104, 105) durchgeführt wird, die bei unterschiedlichen Temperaturen betrieben werden und die unterschiedliche katalytisch wirkende Feststoffe enthalten.
(EN)The invention relates to a system for producing monosilane, comprising a reaction column (100) having a feed pipe (101) for trichlorosilane and a discharge pipe (102) for silicon tetrachloride that develops, and at least one condenser (103), by way of which the produced monosilane can be removed from the reaction column, wherein the reaction column comprises at least two reactive/distillative reaction regions (104, 105), which are operated at different temperatures and contain different catalytically acting solids. Furthermore a method for producing monosilane by the catalytic disproportioning of trichlorosilane is described, wherein the disproportioning is carried out in at least two reactive/distillative reaction regions (104, 105) operated at different temperatures and containing different catalytically acting solids.
(FR)L'invention concerne une installation pour la fabrication de monosilane, qui comprend une colonne de réaction (100) munie d'une entrée (101) pour le trichlorosilane et d'une sortie (102) pour le tétrachlorure de silicium formé, ainsi qu'au moins un condensateur (103), par lequel le monosilane fabriqué peut être déchargé de la colonne de réaction, la colonne de réaction comprenant au moins deux zones de réaction réactives/distillatives (104, 105), qui sont exploitées à des températures différentes et qui contiennent des solides à action catalytique différents. L'invention concerne également un procédé de fabrication de monosilane par dismutation catalytique de trichlorosilane, selon lequel la dismutation est réalisée dans au moins deux zones de réaction réactives/distillatives (104, 105), qui sont exploitées à des températures différentes et qui contiennent des solides à action catalytique différents.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)