Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2010129390) GAS SENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2010/129390 Internationale Anmeldenummer PCT/US2010/032990
Veröffentlichungsdatum: 11.11.2010 Internationales Anmeldedatum: 29.04.2010
IPC:
G01N 27/74 (2006.01)
G Physik
01
Messen; Prüfen
N
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Bestimmen ihrer chemischen oder physikalischen Eigenschaften
27
Untersuchen oder Analysieren von Stoffen durch Anwendung elektrischer, elektrochemischer oder magnetischer Mittel
72
durch Untersuchen magnetischer Veränderlicher
74
von Fluiden
Anmelder:
THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA [US/US]; 1111 Franklin Street, 12th Floor Oakland, CA 94607-5200, US (AllExceptUS)
SCHMID, Andreas, K. [US/US]; US (UsOnly)
MASCARAQUE, Arantzazu [ES/ES]; ES (UsOnly)
SANTOS, Benito [ES/ES]; ES (UsOnly)
DE LA FIGUERA, Juan [ES/ES]; ES (UsOnly)
Erfinder:
SCHMID, Andreas, K.; US
MASCARAQUE, Arantzazu; ES
SANTOS, Benito; ES
DE LA FIGUERA, Juan; ES
Vertreter:
EDELMAN, Lawrence; Ernest Orlando Lawrence Berkeley National Laboratory Technology Transfer And Intellectual Property Management One Cyclotron Rd., MS 56A-120 Berkeley, CA 94720, US
Prioritätsdaten:
61/175,36704.05.2009US
Titel (EN) GAS SENSOR
(FR) DÉTECTEUR DE GAZ
Zusammenfassung:
(EN) A gas sensor is described which incorporates a sensor stack comprising a first film layer of a ferromagnetic material, a spacer layer, and a second film layer of the ferromagnetic material. The first film layer is fabricated so that it exhibits a dependence of its magnetic anisotropy direction on the presence of a gas, That is, the orientation of the easy axis of magnetization will flip from out-of-plane to in-plane when the gas to be detected is present in sufficient concentration. By monitoring the change in resistance of the sensor stack when the orientation of the first layer's magnetization changes, and correlating that change with temperature one can determine both the identity and relative concentration of the detected gas. In one embodiment the stack sensor comprises a top ferromagnetic layer two mono layers thick of cobalt deposited upon a spacer layer of ruthenium, which in turn has a second layer of cobalt disposed on its other side, this second cobalt layer in contact with a programmable heater chip.
(FR) Cette invention concerne un détecteur de gaz intégrant un bloc d'éléments de détection comprenant une première pellicule d'un matériau ferromagnétique, une couche d'espacement et une seconde pellicule du matériau ferromagnétique. La première pellicule est faite de façon à ce qu'elle présente une dépendance du sens d'anisotropie magnétique en présence d'un gaz, c'est-à-dire que le sens de l'axe facile de magnétisation passe d'un état hors plan à un état dans le plan lorsque le gaz à détecter est présent en une concentration suffisante. En surveillant la variation de résistance du bloc d'éléments de détection lorsque l'orientation de la magnétisation de la première couche varie, et en corrélant cette variation avec la température, il est possible de déterminer l'identité et la concentration relative du gaz détecté. Dans un mode de réalisation, le bloc d'éléments de détection comprend une couche ferromagnétique supérieure, deux couches de cobalt déposées sur une couche d'espacement de ruthénium, laquelle comporte une seconde couche de cobalt placée de l'autre côté, cette seconde couche de cobalt étant en contact avec une puce de chauffage programmable.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)
Auch veröffentlicht als:
US20120131988