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1. (WO2010082342) SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR EVALUATING SEMICONDUCTOR DEVICE
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Veröff.-Nr.: WO/2010/082342 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2009/050578
Veröffentlichungsdatum: 22.07.2010 Internationales Anmeldedatum: 16.01.2009
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 29.05.2009
IPC:
H01L 21/28 (2006.01) ,C23C 14/14 (2006.01) ,C23C 14/34 (2006.01) ,H01L 21/285 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
28
Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L21/20-H01L21/268167
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
06
gekennzeichnet durch das Beschichtungsmaterial
14
Metallische Stoffe, Bor oder Silicium
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
14
Beschichten durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben oder durch Ionenimplantation des Beschichtungsmaterials
22
gekennzeichnet durch das Beschichtungsverfahren
34
durch Aufstäuben
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
28
Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L21/20-H01L21/268167
283
Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden
285
aus der Gas- oder Dampfphase, z.B. Kondensation
Anmelder:
竹内 康恭 TAKEUCHI, Yasutaka [JP/JP]; JP (UsOnly)
トヨタ自動車株式会社 TOYOTA JIDOSHA KABUSHIKI KAISHA [JP/JP]; 〒4718571 愛知県豊田市トヨタ町1番地 Aichi 1, Toyota-cho, Toyota-shi, Aichi 4718571, JP (AllExceptUS)
Erfinder:
竹内 康恭 TAKEUCHI, Yasutaka; JP
Vertreter:
特許業務法人 快友国際特許事務所 KAI-U PATENT LAW FIRM; 〒4500002 愛知県名古屋市中村区名駅二丁目45番14号 日石名駅ビル7階 Aichi NISSEKI MEIEKI BUILDING 7F, 45-14, Meieki 2-chome Nakamura-ku, Nagoya-shi, Aichi 4500002, JP
Prioritätsdaten:
Titel (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, PROCESS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, APPARATUS FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR EVALUATING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, PROCESSUS DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, APPAREIL DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCÉDÉ D'ÉVALUATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、半導体装置の製造方法、半導体装置の製造装置、および半導体装置の評価方法
Zusammenfassung:
(EN) Provided is a process for fabricating a semiconductor device comprising a semiconductor substrate, and a rear electrode wherein a layer containing aluminum, a titanium layer, a nickel layer, and a nickel oxidation-prevention layer are laminated from the semiconductor substrate side. The titanium layer of the rear electrode is formed by performing sputtering while setting the partial pressure of oxygen at 5×10-6 Pa or less. The sputtering apparatus comprises a detector for detecting the partial pressure of oxygen, and a controller which makes it possible to perform sputtering in such an atmosphere where the partial pressure of oxygen is 5×10-6 Pa or less with reference to a detection value of the detector.
(FR) L'invention concerne un processus de fabrication d'un dispositif semi-conducteur comprenant un substrat semi-conducteur et une électrode arrière dans lequel une couche contenant de l'aluminium, une couche de titane, une couche de nickel et une couche de prévention d'oxydation de nickel sont stratifiées depuis le côté du substrat semi-conducteur. La couche de titane de l'électrode arrière est formée en réalisant une pulvérisation en réglant une pression partielle d'oxygène inférieure ou égale à 5×10-6 Pa. L'appareil de pulvérisation comprend un détecteur servant à détecter la pression partielle d'oxygène, et une commande qui permet de réaliser la pulvérisation dans une atmosphère dans laquelle la pression partielle d'oxygène est inférieure ou égale à 5×10-6 Pa en référence à une valeur de détection du détecteur.
(JA)  半導体基板と、半導体基板側からアルミニウム含有層、チタン層、ニッケル層、ニッケル酸化防止層が積層された裏面電極とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。裏面電極のチタン層は、酸素分圧を5×10-6Pa以下としてスパッタリングを行うことによって形成される。スパッタリング装置は、酸素分圧を検知する検知装置と、検知装置の検知値を参照して酸素分圧を5×10-6Pa以下の雰囲気下でのスパッタリングを実施可能にする制御装置とを備えている。
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
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African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Japanisch (JA)
Anmeldesprache: Japanisch (JA)