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1. WO2010025696 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ORGANISCHEN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS UND ORGANISCHES STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2010/025696
Veröffentlichungsdatum 11.03.2010
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2009/001139
Internationales Anmeldedatum 10.08.2009
IPC
H01L 51/52 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
50besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED)
52Einzelheiten der Bauelemente
H01L 51/44 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
42besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
44Einzelheiten der Bauelemente
H01L 21/316 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
30Behandlung von Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht von H01L21/20-H01L21/26152
31zur Bildung isolierender Schichten auf Halbleiterkörpern, z.B. für Maskierungszwecke oder bei Verwendung fotolithografischer Techniken; Nachbehandlung dieser Schichten; Auswahl von Materalien für diese Schichten
314Anorganische Schichten
316zusammengesetzt aus Oxiden oder glasigen Oxiden oder Gläsern auf Oxidbasis
CPC
H01L 21/02107
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
H01L 21/02244
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
02227formation by a process other than a deposition process
0223formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
02244of a metallic layer
H01L 21/02252
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02107Forming insulating materials on a substrate
02225characterised by the process for the formation of the insulating layer
02227formation by a process other than a deposition process
02252formation by plasma treatment, e.g. plasma oxidation of the substrate
H01L 21/31683
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
30Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
31to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques
314Inorganic layers
316composed of oxides or glassy oxides or oxide based glass
3165formed by oxidation
31683of metallic layers, e.g. Al deposited on the body, e.g. formation of multi-layer insulating structures
H01L 2251/308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2251Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
30Materials
301Inorganic materials
303Oxides, e.g. metal oxides
305Transparent conductive oxides [TCO]
308composed of indium oxides, e.g. ITO
H01L 51/4213
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
4213Comprising organic semiconductor-inorganic semiconductor hetero-junctions
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • GÄRDITZ, Christoph [DE]/[DE] (UsOnly)
  • PÄTZOLD, Ralph [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • GÄRDITZ, Christoph
  • PÄTZOLD, Ralph
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2008 045 948.804.09.2008DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES ORGANISCHEN STRAHLUNGSEMITTIERENDEN BAUELEMENTS UND ORGANISCHES STRAHLUNGSEMITTIERENDES BAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN ORGANIC RADIATION-EMITTING COMPONENT AND ORGANIC RADIATION-EMITTING COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ POUR PRODUIRE UN PHOTOÉMETTEUR ORGANIQUE, ET PHOTOÉMETTEUR ORGANIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Ein Verfahren zur Herstellung eines organischen strahlungsemittierenden Bauelements angegeben, das insbesondere die Verfahrensschritte umfasst: A) Bereitstellen einer ersten Elektrodenschicht (2) auf einem Substrat (1), B) Aufbringen einer strukturierten elektrisch leitenden Schicht (3) auf der ersten Elektrodenschicht (2), wobei die elektrisch leitende Schicht (3) ein Metall aufweist, C) Erzeugen einer elektrisch isolierenden Schicht (4) umfassend ein Oxid des Metalls der elektrisch leitenden Schicht (3) auf von der ersten Elektrodenschicht (2) abgewandten Oberflächen (31) der elektrisch leitenden Schicht (3) durch Oxidation des Metalls, D) Aufbringen von zumindest einer organischen funktionellen Schicht (5) auf der ersten Elektrodenschicht (2) und der elektrisch isolierenden Schicht (4) und E) Aufbringen einer zweiten Elektrodenschicht (9) auf der zumindest einen organischen funktionellen Schicht (5). Weiterhin wird ein organisches strahlungsemittierendes Bauelement angegeben.
(EN)
A method for producing an organic radiation-emitting component is provided, comprising in particular the following steps: A) providing a first electrode layer (2) on a substrate (1), B) applying a structured electrically conductive layer (3) onto the first electrode layer (2), wherein the electrically conductive layer (3) comprises a metal, C) producing an electrically insulating layer (4) comprising an oxide of the metal of the electrically conductive layer (3) on the surfaces (31) of the electrically conductive layer (3) which face away from the first electrode layer (2) by oxidation of the metal, D) applying at least one organic functional layer (5) onto the first electrode layer (2) and the electrically insulating layer (4), and E) applying a second electrode layer (9) onto the at least one organic functional layer (5). Furthermore, an organic radiation-emitting component is provided.
(FR)
L'invention concerne un procédé pour produire un photoémetteur organique, comprenant en particulier les étapes consistant à : A) préparer une première couche d'électrode (2) sur un substrat (1), B) appliquer une couche électroconductrice structurée (3) sur la première couche d'électrode (2), cette couche électroconductrice (3) contenant un métal, C) produire une couche électro-isolante (4) contenant un oxyde du métal de la couche électroconductrice (3), sur la surface (31) de la couche électroconductrice (3) qui est opposée à la première couche d'électrode (2), par oxydation du métal, D) appliquer au moins une couche fonctionnelle organique (5) sur la première couche d'électrode (2) et la couche électro-isolante (4), et E) appliquer une deuxième couche d'électrode (9) sur la/les couche(s) fonctionnelle(s) organique(s) (5). Cette invention se rapporte en outre à un photoémetteur organique.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten