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1. (WO2010022922) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER ÜBERSCHUSSLADUNGSTRÄGERLEBENSDAUER IN EINER HALBLEITERSCHICHT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2010/022922    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2009/006166
Veröffentlichungsdatum: 04.03.2010 Internationales Anmeldedatum: 26.08.2009
IPC:
G01R 31/265 (2006.01), G01R 31/26 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG [DE/DE]; Fahnenbergplatz, 79098 Freiburg (DE) (For All Designated States Except US).
ROSENITS, Philipp [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ROTH, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GLUNZ, Stefan [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: ROSENITS, Philipp; (DE).
ROTH, Thomas; (DE).
GLUNZ, Stefan; (DE)
Vertreter: DICKER, Jochen; Lemcke, Brommer & Partner Bismarckstrasse 16 76133 Karlsruhe (DE)
Prioritätsdaten:
10 2008 044 879.6 29.08.2008 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER ÜBERSCHUSSLADUNGSTRÄGERLEBENSDAUER IN EINER HALBLEITERSCHICHT
(EN) METHOD FOR DETERMINING THE EXCESS CHARGE CARRIER LIFETIME IN A SEMICONDUCTOR LAYER
(FR) PROCÉDÉ POUR LA DÉTERMINATION DE LA DURÉE DE VIE D’UN PORTEUR DE SURCHARGE DANS UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Überschussladungsträgerlebensdauer in einer Halbleiterschicht, folgende Verfahrensschritte umfassend: A) Beaufschlagen der Halbleiterschicht mit Anregungsstrahlung zum Erzeugen von Lumineszenzstrahlung in der Hableiterschicht und B) Messen der Intensität der Lumineszenzstrahlung der Halbleiterschicht mittels eines Detektors. Wesentlich ist, dass die Verfahrensschritte A und B an einer ersten Messprobe, umfassend eine erste Halbleiterschicht mit einer ersten Schichtdicke D1 zur Messung einer ersten Lumineszenzintensität lM,1 und zusätzlich mindestens an einer zweiten Messprobe, umfassend eine zweite Halbleiterschicht mit einer zweiten Schichtdicke D2 zur Messung einer zweiten Lumineszenzintensität IM,2 durchgeführt werden, wobei die Schichtdicken D1 und D2 unterschiedlich sind, die erste und die zweite Halbleiterschicht im Wesentlichen gleiche Überschussladungsträgerlebensdauern und die gleichen Rekombinationseigenschaften an den jeweiligen Oberflächen der Halbleiterschichten aufweisen und die Überschussladungsträgerlebensdauer der Halbleiterschichten durch Vergleich des Verhältnisses der gemessenen Lumineszenzintensitäten mit einem theoretischen Modell bestimmt wird.
(EN)The invention relates to a method for determining the excess charge carrier lifetime in a semiconductor layer, comprising the following method steps: A) applying excitation radiation to the semiconductor layer to produce luminescent radiation in the semiconductor layer and B) measuring the intensity of the luminescent radiation of the semiconductor layer by means of a detector. It is essential that the method steps A and B are performed on a first measurement sample, comprising a first semiconductor layer having a first layer thickness D1 for measuring a first luminescence intensity lM,1, and in addition at least on a second measurement sample, comprising a second semiconductor layer having a second layer thickness D2 for measuring a second luminescence intensity IM,2, wherein the layer thicknesses D1 and D2 are different, the first and the second semiconductor layers have substantially equal excess charge carrier lifetimes and the same recombination properties on the respective surfaces of the semiconductor layers, and the excess charge carrier lifetime of the semiconductor layers is determined by comparing the ratio of the measured luminescence intensities with a theoretical model.
(FR)L’invention concerne un procédé pour la détermination de la durée de vie d’un porteur de surcharge dans une couche semi-conductrice comprenant les étapes suivantes : A) application d’un rayonnement d’excitation sur la couche semi-conductrice pour générer du rayonnement de luminescence dans la couche semi-conductrice et B) mesure de l’intensité du rayonnement de luminescence de la couche semi-conductrice au moyen d’un détecteur. Il est important que, les étapes A et B soient effectuées sur un premier échantillon de mesure, comprenant une première couche semi-conductrice avec une première épaisseur de couche D1 pour la mesure d’une première intensité de luminescence lM,1 et, de surcroît, au moins sur un second échantillon de mesure, comprenant une seconde couche semi-conductrice avec une seconde épaisseur de couche D2 pour la mesure d’une seconde intensité de luminescence IM,2, les épaisseurs de couche D1 et D2 étant différentes, les première et seconde couches semi-conductrices présentant des durées de vie de porteur de surcharge sensiblement identiques et des propriétés identiques de recombinaison sur les surfaces respectives des couches semi-conductrices et la durée de vie de porteur de surcharge des couches semi-conductrices étant déterminée par comparaison du rapport des intensités de luminescence mesurées avec un modèle théorique.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)