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1. WO2010022874 - VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER REKOMBINATIONSEIGENSCHAFTEN AN EINEM MESSTEILBEREICH EINER MESSSEITE EINER HALBLEITERSTRUKTUR

Veröffentlichungsnummer WO/2010/022874
Veröffentlichungsdatum 04.03.2010
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2009/005973
Internationales Anmeldedatum 18.08.2009
IPC
G01R 31/265 2006.01
GSektion G Physik
01Messen; Prüfen
RMessen elektrischer Größen; Messen magnetischer Größen
31Anordnungen zum Prüfen auf elektrische Eigenschaften; Anordnungen zur Bestimmung des Ortes elektrischer Fehler; Anordnungen zum elektrischen Prüfen, gekennzeichnet durch den zu prüfenden Gegenstand, soweit nicht anderweitig vorgesehen
26Prüfen von einzelnen Halbleiter-Elementen
265Kontaktloses Prüfen
G01R 31/26 2006.01
GSektion G Physik
01Messen; Prüfen
RMessen elektrischer Größen; Messen magnetischer Größen
31Anordnungen zum Prüfen auf elektrische Eigenschaften; Anordnungen zur Bestimmung des Ortes elektrischer Fehler; Anordnungen zum elektrischen Prüfen, gekennzeichnet durch den zu prüfenden Gegenstand, soweit nicht anderweitig vorgesehen
26Prüfen von einzelnen Halbleiter-Elementen
CPC
G01N 21/6489
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
21Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
62Systems in which the material investigated is excited whereby it emits light or causes a change in wavelength of the incident light
63optically excited
64Fluorescence; Phosphorescence
6489Photoluminescence of semiconductors
G01R 31/2648
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
31Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
26Testing of individual semiconductor devices
2648Characterising semiconductor materials
Anmelder
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • ALBERT-LUDWIGS-UNIVERSITÄT FREIBURG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • KASEMANN, Martin [DE]/[DE] (UsOnly)
  • HERMLE, Martin [DE]/[DE] (UsOnly)
  • GRANEK, Filip [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • KASEMANN, Martin
  • HERMLE, Martin
  • GRANEK, Filip
Vertreter
  • DICKER, Jochen
Prioritätsdaten
10 2008 044 884.229.08.2008DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR BESTIMMUNG DER REKOMBINATIONSEIGENSCHAFTEN AN EINEM MESSTEILBEREICH EINER MESSSEITE EINER HALBLEITERSTRUKTUR
(EN) METHOD FOR DETERMINING THE RECOMBINATION PROPERTIES AT A MEASURING SECTION OF A MEASURING SIDE OF A SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE DÉTERMINER LES PROPRIÉTÉS DE RECOMBINAISON AU NIVEAU D'UNE ZONE PARTIELLE DE MESURE D'UN CÔTÉ DE MESURE D'UNE STRUCTURE SEMI-CONDUCTRICE
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Rekombinationseige.nschaften an einem Messteilbereich einer Messseite einer Halbleiterstruktur, wobei die Halbleiterstruktur eine Basis umfasst und an der Messseite zumindest den Messteilbereich und einen Referenzteilbereich, welcher zur Zu- oder Abführung von Ladungsträgern ausgebildet ist, aufweist und das Verfahren folgende Verfahrensschritte umfasst: - A Erzeugen von Überschussminoritätsladungsträgern zumindest in der Basis der Halbleiterstruktur, - B Messen der Überschussladungsträgerdichte in der Basis oder einer zumindest qualitativ mit der Überschussladungsträgerdichte korrespondierenden Größe, wobei zumindest eine erste Messung M1 an einem über dem Referenzteilbereich liegenden ersten Basisbereich und eine zweite Messung M2 an einem über dem Messteilbereich liegenden zweiten Basisbereich durchgeführt wird, - C Erzeugen eines Stromflusses / in der Halbleiterstruktur bei einer äußeren Spannung V zwischen dem Referenzteilbereich und einem mit der Basis der Halbleiterstruktur verbundenen Basiskontakt, wobei die äußere Spannung V oder der Strom / derart gewählt wird, dass das Messergebnisse der ersten Messung M1 gleich dem Messergebnis der zweiten Messung M2 ist und - D Bestimmen der Rekombinationseigenschaften des Messteilbereiches der Halbleiteroberfläche abhängig von der anliegenden äußeren Spannung V und dem zwischen dem Referenzteilbereich und dem Basiskontakt fließenden Strom /.
(EN)
The invention relates to a method for determining the recombination properties at a measuring section of a measuring side of a semiconductor structure, wherein the semiconductor structure comprises a base and on the measuring side at least the measuring section and a reference section, which is designed for feeding or removing charge carriers, and the method comprises the following methods steps: - A Producing excess minority charge carriers at least in the base of the semiconductor structure, - B Measuring the excess charge carrier density in the base or a quantity corresponding at least qualitatively to the excess charge carrier density, wherein at least one first measurement M1 is performed on a first base area lying over the reference section and one second measurement M2 is performed on a second base area lying over the measuring section, - C Producing a current flow / in the semiconductor structure at an external voltage V between the reference section and a base contact connected to the base of the semiconductor structure, wherein the external voltage V or the current / are selected in such a way that the measuring result of the first measurement M1 is equal to the measuring result of the second measurement M2 and - D Determining the recombination properties of the measuring section of the semiconductor surface according to the external voltage V present and the current / flowing between the reference section and the base contact.
(FR)
L'invention concerne un procédé permettant de déterminer les propriétés de recombinaison au niveau d'une zone partielle de mesure d'un côté de mesure d'une structure semi-conductrice, la structure semi-conductrice comprenant une base et présentant, sur le côté de mesure, au moins la zone partielle de mesure et une zone partielle de référence qui est conçue pour l'apport ou l'évacuation de porteurs de charge. Le procédé comprend les étapes suivantes: - A production de porteurs de charge minoritaires excédentaires au moins dans la base de la structure semi-conductrice, - B mesure de la densité de porteurs de charge excédentaires dans la base ou d'une grandeur correspondant au moins qualitativement à la densité de porteurs de charge excédentaires, une première mesure M1 au moins étant effectuée au niveau d'une première zone de base située au-dessus de la zone partielle de mesure et une deuxième mesure M2 étant effectuée au niveau d'une deuxième zone de base située au-dessus de la zone partielle de mesure, - C production d'un flux de courant / dans la structure semi-conductrice en présence d'une tension extérieure V entre la zone partielle de référence et un contact de base relié à la base de la structure semi-conductrice, la tension extérieure V ou le courant / étant choisi de telle manière que le résultat de la première mesure M1 soit égal au résultat de la deuxième mesure M2 et - D détermination des propriétés de recombinaison de la zone partielle de mesure de la surface du semi-conducteur en fonction de la tension extérieure V appliquée et du courant passant entre la zone partielle de référence et le contact de base /.
Auch veröffentlicht als
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