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1. WO2010022694 - OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP

Veröffentlichungsnummer WO/2010/022694
Veröffentlichungsdatum 04.03.2010
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2009/001038
Internationales Anmeldedatum 23.07.2009
IPC
H01L 33/00 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
CPC
H01L 33/10
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
10with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
405Reflective materials
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • LINDER, Norbert [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WIESMANN, Christopher [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WIRTH, Ralph [DE]/[DE] (UsOnly)
  • STANLEY, Ross [CH]/[CH] (UsOnly)
  • HOUDRE, Romuald [CH]/[CH] (UsOnly)
Erfinder
  • LINDER, Norbert
  • WIESMANN, Christopher
  • WIRTH, Ralph
  • STANLEY, Ross
  • HOUDRE, Romuald
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2008 045 028.629.08.2008DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE À SEMI-CONDUCTEUR OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE) Es wird ein Halbleiterchip angegeben, mit einer aktiven Schicht (2), die zur Emission einer elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist, und einer zweidimensionalen Anordnung von Struktureinheiten (5), die der aktiven Schicht in einer Hauptabstrahlrichtung (6) des Halbleiterchips nachgeordnet ist. Die Struktureinheiten (5) sind in einer willkürlichen statistischen Verteilung angeordnet. Durch eine derartige Anordnung von Struktureinheiten kann ein Halbleiterchip mit einer gerichteten Abstrahlcharakteristik realisiert werden.
(EN) A semiconductor chip is specified, comprising an active layer (2) provided for emitting an electromagnetic radiation, and a two-dimensional arrangement of structure units (5), which is disposed downstream of the active layer in a main emission direction (6) of the semiconductor chip. The structure units (5) are arranged in an arbitrary statistical distribution. A semiconductor chip having a directional emission characteristic can be realized by means of such an arrangement of structure units.
(FR) L'invention porte sur une puce à semi-conducteur, comportant une couche active (2) qui est prévue pour l'émission d'un rayonnement électromagnétique, et un arrangement bidimensionnel d'unités structurales (5), qui est disposé en aval de la couche active, dans une direction principale de rayonnement (6) de la puce à semi-conducteur. Les unités structurales (5) sont disposées selon une répartition statistique quelconque. Grâce à un arrangement de ce type d'unités structurales, il est possible de réaliser une puce à semi-conducteur ayant une caractéristique dirigée de rayonnement.
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