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1. WO2010020224 - VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ZINKOXIDHALTIGEN MATERIALS UND EIN HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM ZINKOXIDHALTIGEN MATERIAL

Veröffentlichungsnummer WO/2010/020224
Veröffentlichungsdatum 25.02.2010
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2009/001152
Internationales Anmeldedatum 12.08.2009
IPC
C30B 23/02 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
23Erzeugen von Einkristallen durch Niederschlagen von verdampften oder sublimierten Stoffen
02Epitaktisches Schichtenwachstum
C30B 29/16 2006.01
CChemie; Hüttenwesen
30Züchten von Kristallen
BZüchten von Einkristallen; Gerichtetes Erstarren von eutektischen Stoffen oder gerichtetes Entmischen von eutektischen Stoffen; Reinigen von Stoffen durch Zonenschmelzen; Herstellung eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur; Nachbehandlung von Einkristallen oder eines homogenen polykristallinen Stoffes mit definierter Struktur; Apparate hierfür
29Einkristalle oder homogene polykristalline Stoffe mit definierter Struktur, gekennzeichnet durch das Material oder durch ihre Form
10Anorganische Verbindungen oder Zusammensetzungen
16Oxide
H01L 33/28 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02charakterisiert durch den Halbleiterkörper
26Materialien des lichtemittierenden Bereichs
28nur Elemente der Gruppen II und VI des Periodensystems enthaltend
CPC
C30B 23/02
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
23Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
02Epitaxial-layer growth
C30B 29/16
CCHEMISTRY; METALLURGY
30CRYSTAL GROWTH
BSINGLE-CRYSTAL-GROWTH
29Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
10Inorganic compounds or compositions
16Oxides
H01L 21/02554
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02551Group 12/16 materials
02554Oxides
H01L 21/02565
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
02521Materials
02565Oxide semiconducting materials not being Group 12/16 materials, e.g. ternary compounds
H01L 21/02579
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02518Deposited layers
0257Doping during depositing
02573Conductivity type
02579P-type
H01L 21/02631
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
02104Forming layers
02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
02612Formation types
02617Deposition types
02631Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
Anmelder
  • HUMBOLDT-UNIVERSITÄT ZU BERLIN [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • HENNEBERGER, Fritz [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SADOFEV, Sergey [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • HENNEBERGER, Fritz
  • SADOFEV, Sergey
Vertreter
  • FISCHER, Uwe
Prioritätsdaten
10 2008 039 183.220.08.2008DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES ZINKOXIDHALTIGEN MATERIALS UND EIN HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM ZINKOXIDHALTIGEN MATERIAL
(EN) METHOD FOR PRODUCING A MATERIAL CONTAINING ZINC OXIDE AND A SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH A MATERIAL CONTAINING ZINC OXIDE
(FR) PROCÉDÉ DE PRÉPARATION D'UNE MATIÈRE CONTENANT DE L'OXYDE DE ZINC ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE MATIÈRE CONTENANT DE L'OXYDE DE ZINC
Zusammenfassung
(DE)
Verfahren zum Herstellen eines zinkoxidhaltigen Materials und ein Halbleiterbauelement mit einem zinkoxidhaltigen Material. Die Erfindung bezieht sich u. a. auf ein Verfahren mit den Merkmalen gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1. Erfindungsgemäß ist diesbezüglich vorgesehen, dass ein p-dotiertes zinkoxidhaltiges Material (30, 60, 125, 225, 325) hergestellt wird, wobei die p-Dotierung während des Wachstumsdes Materials durch eine Stickstoff-Dotierung gebildet wird und wobei die Wachstumstemperatur während des Wachstums und der Dotierung des zinkoxidhaltigen Materials in einem Bereich zwischen 150°C und 400°C liegt.
(EN)
The invention relates, amongst other things to a method with the features given in the generic part of claim 1. According to the invention, a p-doped zinc oxide-containing material (30, 60, 125, 225, 325) is produced, wherein the p-doping is carried out during the growth of the material by a nitrogen-doping and the growth temperature during the growth and the doping of the zinc oxide-containing material is in the range 150°C to 400°C.
(FR)
La présente invention concerne un procédé de préparation d'une matière contenant de l'oxyde de zinc et un composant semi-conducteur comprenant un matière contenant de l'oxyde de zinc. L'invention concerne entre autres un procédé présentant les caractéristiques mentionnées dans le préambule de la revendication 1. Selon l'invention, à cet effet est préparée une matière (30, 60, 125, 225, 325) dopée p contenant de l'oxyde de zinc, le dopage p étant constitué au cours de la croissance de la matière par un dopage à l'azote, et la température de croissance au cours de la croissance et du dopage de la matière contenant de l'oxyde de zinc, étant comprise entre 150°C et 400°C.
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