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1. (WO2010020213) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT GAS-GEFÜLLTEM SPIEGEL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2010/020213    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2009/001111
Veröffentlichungsdatum: 25.02.2010 Internationales Anmeldedatum: 05.08.2009
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 33/38 (2010.01), H01L 33/40 (2010.01), H01L 31/0216 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
GROLIER, Vincent [FR/DE]; (DE) (For US Only).
PLÖSSL, Andreas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: GROLIER, Vincent; (DE).
PLÖSSL, Andreas; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2008 039 360.6 22.08.2008 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT GAS-GEFÜLLTEM SPIEGEL
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP WITH GAS-FILLED MIRROR
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉLECTRO-OPTIQUE DOTÉE D'UN RÉFLECTEUR REMPLI DE GAZ
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der einen aktiven Bereich (10) enthält, - einer Spiegelschicht (2), und - Kontaktstellen (3), die zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegelschicht (2) angeordnet sind und einen Abstand (D) zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegelschicht (2) vermitteln, wodurch zumindest ein Hohlraum (4) zwischen Spiegelschicht (2) und Halbleiterkörper (1) gebildet ist, wobei - der zumindest eine Hohlraum (4) ein Gas (40) enthält.
(EN)An optoelectronic semiconductor chip is disclosed, comprising a semiconductor body (1), with an active region (10), a mirror layer (2) and contact points (3), arranged between the semiconductor body (1) and the mirror layer (2), determining a distance (D) between semiconductor body (1) and mirror layer (2), whereupon at least one cavity (4) is formed between the mirror layer (2) and semiconductor body (1), comprising at least one cavity (4) containing a gas (40).
(FR)L'invention concerne une puce semi-conductrice électro-optique, comprenant un corps semi-conducteur (1) doté d'une zone active (10), une couche de réflexion spéculaire (2) et des points de contact (3) qui, disposés entre le corps semi-conducteur (1) et la couche de réflexion spéculaire (2), matérialisent une distance (D) qui sépare le corps semi-conducteur (1) de la couche de réflexion spéculaire (2). Au moins une cavité (4) est formée entre la couche de réflexion spéculaire (2) et le corps semi-conducteur (1), ladite au moins une cavité (4) contenant un gaz (40).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)