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1. WO2010020213 - OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT GAS-GEFÜLLTEM SPIEGEL

Veröffentlichungsnummer WO/2010/020213
Veröffentlichungsdatum 25.02.2010
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2009/001111
Internationales Anmeldedatum 05.08.2009
IPC
H01L 31/0224 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02Einzelheiten
0224Elektroden
H01L 33/38 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36charakterisiert durch die Elektroden
38mit besonderer Form
H01L 33/40 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36charakterisiert durch die Elektroden
40Materialien hierfür
H01L 31/0216 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02Einzelheiten
0216Beschichtungen, Überzüge
CPC
H01L 31/02161
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0216Coatings
02161for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/0224
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
H01L 33/387
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
387with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
H01L 33/405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
405Reflective materials
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • GROLIER, Vincent [FR]/[DE] (UsOnly)
  • PLÖSSL, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • GROLIER, Vincent
  • PLÖSSL, Andreas
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2008 039 360.622.08.2008DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP MIT GAS-GEFÜLLTEM SPIEGEL
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP WITH GAS-FILLED MIRROR
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE ÉLECTRO-OPTIQUE DOTÉE D'UN RÉFLECTEUR REMPLI DE GAZ
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (1), der einen aktiven Bereich (10) enthält, - einer Spiegelschicht (2), und - Kontaktstellen (3), die zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegelschicht (2) angeordnet sind und einen Abstand (D) zwischen Halbleiterkörper (1) und Spiegelschicht (2) vermitteln, wodurch zumindest ein Hohlraum (4) zwischen Spiegelschicht (2) und Halbleiterkörper (1) gebildet ist, wobei - der zumindest eine Hohlraum (4) ein Gas (40) enthält.
(EN)
An optoelectronic semiconductor chip is disclosed, comprising a semiconductor body (1), with an active region (10), a mirror layer (2) and contact points (3), arranged between the semiconductor body (1) and the mirror layer (2), determining a distance (D) between semiconductor body (1) and mirror layer (2), whereupon at least one cavity (4) is formed between the mirror layer (2) and semiconductor body (1), comprising at least one cavity (4) containing a gas (40).
(FR)
L'invention concerne une puce semi-conductrice électro-optique, comprenant un corps semi-conducteur (1) doté d'une zone active (10), une couche de réflexion spéculaire (2) et des points de contact (3) qui, disposés entre le corps semi-conducteur (1) et la couche de réflexion spéculaire (2), matérialisent une distance (D) qui sépare le corps semi-conducteur (1) de la couche de réflexion spéculaire (2). Au moins une cavité (4) est formée entre la couche de réflexion spéculaire (2) et le corps semi-conducteur (1), ladite au moins une cavité (4) contenant un gaz (40).
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten