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1. (WO2010017963) VERFAHREN ZUM ELEKTRONENSTRAHLINDUZIERTEN ÄTZEN VON MIT GALLIUM VERUNREINIGTEN SCHICHTEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2010/017963    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2009/005823
Veröffentlichungsdatum: 18.02.2010 Internationales Anmeldedatum: 11.08.2009
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    10.06.2010    
IPC:
H01L 21/311 (2006.01), H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/3065 (2006.01)
Anmelder: CARL ZEISS SMS GMBH [DE/DE]; Carl-Zeiss-Promenade 10 07445 Jena (DE) (For All Designated States Except US).
AUTH, Nicole [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SPIES, Petra [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BECKER, Rainer [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HOFMANN, Thorsten [DE/DE]; (DE) (For US Only).
EDINGER, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: AUTH, Nicole; (DE).
SPIES, Petra; (DE).
BECKER, Rainer; (DE).
HOFMANN, Thorsten; (DE).
EDINGER, Klaus; (DE)
Vertreter: WEGNER, Hans; Bardehle Pagenberg Dost Altenburg Geissler Galileiplatz 1 81679 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2008 037 951.4 14.08.2008 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM ELEKTRONENSTRAHLINDUZIERTEN ÄTZEN VON MIT GALLIUM VERUNREINIGTEN SCHICHTEN
(EN) METHOD FOR ELECTRON BEAM INDUCED ETCHING OF LAYERS CONTAMINATED WITH GALLIUM
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE, INDUITE PAR UN FAISCEAU D'ÉLECTRONS, DE COUCHES CONTAMINÉES PAR DU GALLIUM
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum elektronenstrahlinduzierten Ätzen einer mit Gallium verunreinigten Schicht (120, 220) mit den Verfahrensschritten des Bereitsteilens zumindest einer ersten halogenhaltigen Verbindung als ein Ätzgas an einer Stelle, an der ein Elektronenstrahl auf die Schicht (120, 220) trifft und des Bereitstellens zumindest einer zweiten halogenhaltigen Verbindung als ein Präkursorgas zum Entfernen des Galliums an dieser Stelle.
(EN)The invention relates to a method for electron beam induced etching of a layer (120, 122) contaminated with gallium. Said method consists of the following steps: at least one first compound containing halogen is provided as an etching gas on one area on which an electron beam strikes the layer (120, 220) and at least one second compound containing halogen is provided as a precursor gas for removing gallium from said area.
(FR)L'invention concerne un procédé de gravure, induite par un faisceau d'électrons, d'une couche (120, 220) contaminée par du gallium, comprenant les étapes consistant à fournir au moins un premier composé halogéné servant de gaz de gravure à un endroit où un faisceau d'électrons rencontre la couche (120, 220) et à fournir au moins un deuxième composé halogéné servant de gaz précurseur pour éliminer le gallium à cet endroit.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)