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1. WO2010017793 - OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP

Veröffentlichungsnummer WO/2010/017793
Veröffentlichungsdatum 18.02.2010
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2009/000989
Internationales Anmeldedatum 15.07.2009
IPC
H01L 33/00 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
CPC
H01L 33/38
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
H01L 33/405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
405Reflective materials
H01L 33/44
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • WEIMAR, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
  • FISCHER, Helmut [DE]/[DE] (UsOnly)
  • ALBRECHT, Tony [DE]/[DE] (UsOnly)
  • KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna [PL]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • WEIMAR, Andreas
  • FISCHER, Helmut
  • ALBRECHT, Tony
  • KASPRZAK-ZABLOCKA, Anna
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2008 038 725.812.08.2008DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben, mit - einem Träger (3), - einer reflektierenden Schicht (1), die ein zur Migration neigendes Metall enthält, wobei die reflektierende Schicht (1) auf dem Träger (3) angeordnet ist, - einem Halbleiterkörper (2), der an der dem Träger (3) abgewandten Seite der reflektierenden Schicht (1) angeordnet ist und die reflektierende Schicht (1) an einer Seitenfläche (1a) der reflektierenden Schicht (1) überragt, und - einer Migrationssperre (4), welche die Seitenfläche (1a) der reflektierenden Schicht (1) überdeckt, wobei die Migrationssperre (4) ein Metall enthält.
(EN)
An optoelectronic semiconductor chip is disclosed with a carrier (3), a reflecting layer (1) which contains a metal tending toward migration, wherein the reflective layer (1) is arranged on the carrier (3), a semiconductor element (2) which is arranged on the side of the reflective layer (1) facing away from the carrier (3) and the reflective layer (1) protrudes from one side surface (1a) of the reflective layer (1), and a migration barrier (4) which covers the side surface (1a) of the reflective layer (1), wherein the migration barrier (4) contains a metal.
(FR)
L’invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique, avec – un support (3), - une couche réfléchissante (1) qui contient un métal tendant à migrer, la couche réfléchissante (1) étant disposée sur le support (3), - un corps semi-conducteur (2) qui est disposé du côté opposé au support (3) de la couche réfléchissante (1) et qui déborde la couche réfléchissante (1) sur une surface latérale (1a) de la couche réfléchissante (1), et – une inhibition de migration (4) qui recouvre la surface latérale (1a) de la couche réfléchissante (1), l’inhibition de migration (4) contenant un métal.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten