WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2010012825) VERFAHREN ZUR OPTISCHEN IN-SITU-PROZESSKONTROLLE DES HERSTELLUNGSPROZESSES EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2010/012825    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2009/059935
Veröffentlichungsdatum: 04.02.2010 Internationales Anmeldedatum: 31.07.2009
IPC:
H01L 31/18 (2006.01), G01J 5/00 (2006.01)
Anmelder: SULFURCELL SOLARTECHNIK GMBH [--/DE]; Barbara-McClintock-Straße 11 12489 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
MEEDER, Alexander [DE/DE]; (DE) (For US Only).
NEISSER, Axel [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHMIDT-WEBER, Philipp [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ANTAL, Hartmuth [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BETTELS, Petric [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MEEDER, Alexander; (DE).
NEISSER, Axel; (DE).
SCHMIDT-WEBER, Philipp; (DE).
ANTAL, Hartmuth; (DE).
BETTELS, Petric; (DE)
Vertreter: GULDE HENGELHAUPT ZIEBIG & SCHNEIDER; Wallstraße 58/59 10179 Berlin (DE)
Prioritätsdaten:
102008040879.4 31.07.2008 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR OPTISCHEN IN-SITU-PROZESSKONTROLLE DES HERSTELLUNGSPROZESSES EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) METHOD FOR OPTICAL IN-SITU PROCESS CONTROL OF THE PROCESS FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE CONTRÔLE OPTIQUE IN SITU DU PROCESSUS DE FABRICATION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur optischen in-situ-Prozesskontrolle des Herstellungsprozesses einer Absorberschicht des Typs ABC2 für Dünnschichtsolarmodule, mit A = wenigstens einem Element aus der Gruppe Cu, Ag und Zn, B = wenigstens einem Element aus der Gruppe In, Ga, Al und Zn und C = wenigstens einem Element aus der Gruppe S, Se und Te, wobei das Verfahren die folgenden Schritte umfasst: a) Bereitstellen eines RTP-Ofens mit einer Reaktionskammer, die wenigstens einen Heizstrahler und wenigstens einen Strahlungsdetektor umfasst, wobei der Strahlungsdetektor einen Detektionsbereich im Wellenlängenbereich von 1.000 nm bis 2.500 nm aufweist und der Strahlungsdetektor so angeordnet ist, dass sein optisches Sichtfeld keine direkte Strahlung des Heizstrahlers erfasst; b) Bereitstellung eines mit den Komponenten A und B beschichteten Trägersubstrats sowie einer definierten Menge der Komponente C oder einer C-haltigen Verbindung in der Reaktionskammer des RTP-Ofens; und c) Aufheizen des Reaktionsbehälters in der Reaktionskammer des RTP-Ofens durch den wenigstens einen Heizstrahler und dabei gleichzeitiges Erfassen einer an der entstehenden Absorberschicht reflektierten Heizstrahlung durch den wenigstens einen Strahlungsdetektor.
(EN)The invention relates to a method for the optical in-situ process control of the process for producing an absorber layer of the type ABC2 for thin-film solar modules, where A = at least one element from the group Cu, Ag and Zn, B = at least one element from the group In, Ga, Al and Zn and C = at least one element from the group S, Se and Te, wherein the method comprises the following steps: a) providing an RTP furnace having a reaction chamber comprising at least one radiant heater and at least one radiation detector, wherein the radiation detector has a detection range in the wavelength range of from 1000 nm to 2500 nm and the radiation detector is arranged in such a way that its optical field of view does not detect direct radiation from the radiant heater; b) providing a carrier substrate coated with the components A and B, and also a defined amount of the component C or a C-containing compound in the reaction chamber of the RTP furnace; and c) heating the reaction container in the reaction chamber of the RTP furnace by means of the at least one radiant heater whilst at the same time detecting heating radiation reflected at the absorber layer arising by means of the at least one radiation detector.
(FR)L'invention concerne un procédé de contrôle optique in situ du processus de fabrication d'une couche absorbante de type ABC2 pour des modules solaires à couche mince, avec A = au moins un élément du groupe Cu, Ag et Zn, B = au moins un élément du groupe In, Ga, Al et Zn, et C = au moins un élément du groupe S, Se et Te. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) fourniture d'un four de traitement thermique rapide avec une chambre de réaction qui comprend au moins un radiateur chauffant et au moins un détecteur de rayonnement, le détecteur de rayonnement possédant une plage de détection sur la plage de longueurs d'onde de 1 000 nm à 2 500 nm et le détecteur de rayonnement étant disposé de manière que son champ de vision optique ne capte pas de rayonnement direct du radiateur chauffant; b) fourniture dans la chambre de réaction du four de traitement thermique rapide d'un substrat porteur revêtu des composants A et B ainsi que d'une quantité définie du composant C ou d'un composé contenant C; et c) chauffage de l'enceinte de réaction dans la chambre de réaction du four de traitement thermique rapide par ledit au moins un radiateur chauffant et, simultanément, détection d'un rayonnement chauffant réfléchi par la couche absorbante en formation par ledit au moins un détecteur de rayonnement.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)