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1. (WO2010012547) VERFAHREN ZUM VERKAPPEN EINES MEMS-WAFERS SOWIE MEMS-WAFER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2010/012547    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2009/057989
Veröffentlichungsdatum: 04.02.2010 Internationales Anmeldedatum: 25.06.2009
IPC:
B81C 1/00 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
RUDHARD, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MUELLER, Thorsten [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: RUDHARD, Joachim; (DE).
MUELLER, Thorsten; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20 70442 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
10 2008 040 851.4 30.07.2008 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM VERKAPPEN EINES MEMS-WAFERS SOWIE MEMS-WAFER
(EN) METHOD FOR CAPPING A MEMS WAFER AND MEMS WAFER
(FR) PROCÉDÉ D'ENCAPSULATION D'UNE TRANCHE POUR MICROSYSTÈME, AINSI QUE TRANCHE POUR MICROSYSTÈME
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verkappen eines MEMS-Wafers (1) insbesondere eines Sensor- und/oder Aktorwafers, mit mindestens einem mechanischen Funktionselement (10). Erfindungsgemäß ist vorgesehen, dass das bewegliche mechanische Funktionselement (10) mittels einer Opferschicht (14) fixiert wird, und dass auf die Opferschicht (14) und/oder auf mindestens eine auf die Opferschicht (14) aufgebrachte Zwischenschicht (17) eine Kappenschicht (19) aufgebracht, insbesondere epitaktisch aufgewachsen, wird. Ferner betrifft die Erfindung einen verkappten MEMS-Wafer (1).
(EN)The invention relates to a method for capping a MEMS wafer (1), in particular a sensor and/or actuator wafer, with at least one mechanical functional element (10). According to the invention, it is provided that the movable mechanical functional element (10) is fixed by means of a sacrificial layer (14), and that a cap layer (19) is applied to, in particular epitaxially grown onto, the sacrificial layer (14) and/or to at least one intermediate layer (17) applied to the sacrificial layer (14). The invention also relates to a capped MEMS wafer (1).
(FR)L'invention porte sur un procédé d'encapsulation d'une tranche (1) pour microsystème, en particulier une tranche formant capteur et/ou actionneur, comportant au moins un élément fonctionnel mécanique (10). Il est prévu selon l'invention que l'élément fonctionnel mécanique mobile (10) soit fixé par l'intermédiaire d'une couche sacrificielle (14), et qu'une couche d'encapsulation (19) soit appliquée sur la couche sacrificielle (14) et/ou sur au moins une couche intermédiaire (17) appliquée sur la couche sacrificielle (14), et en particulier subisse une croissance épitaxiale. L'invention porte en outre sur une tranche (1) encapsulée pour microsystème.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)