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1. (WO2010012267) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2010/012267    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2009/001024
Veröffentlichungsdatum: 04.02.2010 Internationales Anmeldedatum: 20.07.2009
IPC:
H01L 33/40 (2010.01), H01L 33/00 (2010.01), H01L 33/62 (2010.01), H01S 5/042 (2006.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg (DE) (For All Designated States Except US).
EISSLER, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FISCHER, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MÜLLER, Rüdiger [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: EISSLER, Dieter; (DE).
FISCHER, Helmut; (DE).
MÜLLER, Rüdiger; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2008 035 254.3 29.07.2008 DE
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PUCE SEMI-CONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) angegeben, mit - einem Halbleiterkörper (2), der auf einem III/V-Verbindungs-Halbleitermaterial basiert, und - einem elektrisch leitenden, metallischen Schichtenstapel (3), der auf dem Halbleiterkörper (2) angeordnet ist, wobei - der metallische Schichtenstapel (3) zumindest eine erste Schicht umfasst (32, 33), die Nickel enthält, und - der metallische Schichtenstapel (3) zumindest eine zweite Schicht (35) umfasst, die Gold enthält, wobei die erste (32, 33) Schicht zwischen dem Halbleiterkörper (2) und der zweiten Schicht (35) angeordnet ist.
(EN)The invention relates to an optoelectronic semiconductor chip (1), having – a semiconductor body (2) based on a III/IV compound semiconductor material, and – an electrically conductive metal layer stack (3) disposed on the semiconductor body (2), wherein – the metal layer stack (3) comprises at least one first layer (32, 33) comprising nickel, and – the metal layer stack (3) comprises at least one second layer (35) comprising gold, wherein the first (32, 33) layer is disposed between the semiconductor body (2) and the second layer (35).
(FR)L’invention concerne une puce semi-conductrice optoélectronique (1) avec – un corps semi-conducteur (2) qui est à base de matériau semi-conducteur III/V, et – un empilement de couches métalliques (3) électriquement conductrices qui est disposé sur le corps semi-conducteur (2), - l’empilement de couches métalliques (3) comprenant au moins une première couche (32, 33) qui contient du nickel, et – l’empilement de couches métalliques (3) comprenant au moins une deuxième couche (35) qui contient de l’or, la première couche (32, 33) étant disposée entre le corps semi-conducteur (2) et la deuxième couche (35).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)