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1. (WO2010012259) EINSEITIG KONTAKTIERTES DÜNNSCHICHT-SOLARMODUL MIT EINER INNEREN KONTAKTSCHICHT.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2010/012259    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2009/000966
Veröffentlichungsdatum: 04.02.2010 Internationales Anmeldedatum: 11.07.2009
IPC:
H01L 31/0224 (2006.01), H01L 27/142 (2006.01)
Anmelder: HELMHOLTZ-ZENTRUM BERLIN FÜR MATERIALIEN UND ENERGIE GMBH [DE/DE]; Glienicker Strasse 100 14109 Berlin (DE) (For All Designated States Except US).
STANGL, Rolf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LIPS, Klaus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RECH, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: STANGL, Rolf; (DE).
LIPS, Klaus; (DE).
RECH, Bernd; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2008 035 327.2 30.07.2008 DE
10 2008 060 404.6 01.12.2008 DE
Titel (DE) EINSEITIG KONTAKTIERTES DÜNNSCHICHT-SOLARMODUL MIT EINER INNEREN KONTAKTSCHICHT.
(EN) THIN-FILM SOLAR MODULE WHICH IS CONTACT-CONNECTED ON ONE SIDE AND HAS AN INTERNAL CONTACT LAYER
(FR) MODULE SOLAIRE À COUCHE MINCE EN CONTACT D'UN CÔTÉ ET COMPRENANT UNE COUCHE DE CONTACT INTÉRIEURE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Das nächstliegende bekannte Dünnschicht-Solarmodul mit einer rückseitigen Kontaktierung basiert auf zwei Kontaktsystemen mit unterschiedliche Punktkontaktierungen, deren Strukturierung jedoch der Qualität des verwendeten Absorbermaterials Grenzen setzt, sodass insbesondere pin-Konfigurationen nur schwer zu realisieren sind. Zur Serienverschaltung müssen die Punktkontaktierungen des ersten und zweiten Kontaktsystems exakt zueinander ausgerichtet sein. Das erfindungsgemäße Dünnschicht-Solarzellmodul (00) weist dagegen ein zweites Kontaktsystem (13) mit nur einer flächig ausgebildeten inneren Kontaktschicht (16) auf. Das erste Kontaktsystem (12) weist Kontaktierungen (14) auf, die von einer äußeren Kontaktschicht (15) erfasst werden. Zur Serienverschaltung werden die Kontaktierungen (14) mit der inneren Kontaktfläche (16) in Verschaltungsbereichen (21) zwischen benachbarten Solarzellenbereichen (09, 10) mittels Serienkontaktierungen (22) verbunden. Außerhalb der Verschaltungsbereiche (22) sind die beiden Kontaktsysteme (12, 13) durch Zwischenlage einer Isolationsschicht (17) gegeneinander elektrisch isoliert. Das erfindungsgemäße Dünnschicht-Solarmodul (00) kann in allen möglichen Ausführungsformen (pn- oder pin-Konfiguration, Rückseiten- oder Vorderseitenkontaktierung, Super- oder Substrat, Einbau zusätzlicher Funktionsschichten) ohne jegliche Alignment-Probleme einfach realisiert werden und erbringt größtmögliche Effizienz.
(EN)The closest known thin-film solar module which is contact-connected on the rear side is based on two contact systems with different point contact-connections, the structuring of which, however, limits the quality of the absorber material used, with the result that pin configurations, in particular, can be achieved only with difficulty. For connection in series, the point contact-connections of the first and second contact systems must be exactly aligned with one another. In contrast, the thin-film solar cell module (00) according to the invention has a second contact system (13) having only one flat internal contact layer (16). The first contact system (12) has contact-connections (14) which are detected by an outer contact layer (15). For connection in series, the contact-connections (14) are connected to the internal contact area (16) in connection regions (21) between adjacent solar cell regions (09, 10) using series contact-connections (22). Outside the connection regions (22), the two contact systems (12, 13) are electrically insulated with respect to one another by the interposition of an insulation layer (17). The thin-film solar module (00) according to the invention can be implemented in a simple manner in all possible embodiments (pn or pin configuration, contact-connection on the rear side or front side, superstrate or substrate, integration of additional functional layers) without any alignment problems and yields the greatest possible degree of efficiency.
(FR)L'invention concerne un module solaire à couche mince connu avec une mise en contact du côté arrière basée sur deux systèmes de contact avec des contacts par points différents dont la structuration met toutefois des limites à la qualité du matériau absorbeur utilisé de sorte que les configurations pin notamment ne sont que difficilement réalisables. Pour la connexion en série, les contacts par point des premier et deuxième systèmes de contact sont exactement alignés les uns sur les autres. Le module de cellules solaires à couche mince (00) présente par contre un deuxième système de contact (13) avec seulement une couche de contact intérieure (16) de forme plate. Le premier système de contact (12) comprend des contacts (14) qui sont détectés par une couche de contact extérieure (15). Pour la connexion en série, les contacts (14) sont reliés à la surface de contact intérieure (16) dans des régions de connexion (21) entre régions de cellule solaire voisines (09, 10) au moyen de contacts en série (22). En dehors des régions de connexion (22), les deux systèmes de contact (12, 13) sont électriquement isolés l'un de l'autre par intercalage d'une couche d'isolation (17). Le module solaire à couche mince selon l'invention (00) peut être réalisé dans toutes les formes de réalisation possibles (configuration pn ou pin, mise en contact du côté arrière ou du côté avant, superstrat ou substrat, incorporation de couches fonctionnelles supplémentaires) sans le moindre problème d'alignement et offre la plus grande efficacité possible.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)