In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2010012256 - OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP

Veröffentlichungsnummer WO/2010/012256
Veröffentlichungsdatum 04.02.2010
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2009/000917
Internationales Anmeldedatum 29.06.2009
IPC
H01L 33/38 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36charakterisiert durch die Elektroden
38mit besonderer Form
H01L 33/42 2010.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
36charakterisiert durch die Elektroden
40Materialien hierfür
42transparente Materialien
CPC
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 33/387
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
38with a particular shape
387with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
H01L 33/405
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
405Reflective materials
H01L 33/42
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
36characterised by the electrodes
40Materials therefor
42Transparent materials
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • HÖPPEL, Lutz [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SABATHIL, Matthias [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • HÖPPEL, Lutz
  • SABATHIL, Matthias
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2008 035 110.528.07.2008DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP
(EN) OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE SEMICONDUCTRICE OPTOÉLECTRONIQUE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (1) mit einer Halbleiterschichtenfolge (2), die eine aktive Zone (4) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung aufweist, und mit einer strukturierten Stromaufweitungsschicht (6), die ein transparentes leitendes Oxid enthält und auf einer Hauptfläche (12) der Halbleiterschichtenfolge (2) angeordnet ist, beschrieben, wobei die Stromaufweitungsschicht (6) mindestens 30% und höchstens 60% der Hauptfläche (12) bedeckt.
(EN)
The invention describes an optoelectronic semiconductor chip (1) having a semiconductor layer sequence (2) which has an active zone (4) for generating electromagnetic radiation, and having a patterned current spreading layer (6) which contains a transparent conductive oxide and is arranged on a main surface (12) of the semiconductor layer sequence (2), wherein the current spreading layer (6) covers at least 30% and at most 60% of the main surface (12).
(FR)
L'invention concerne une puce semiconductrice optoélectronique (1) comportant une superposition de couches semiconductrices (2) qui présente une zone active (4) destinée à générer un faisceau électromagnétique, et une couche de diffusion d'intensité de courant (6) structurée qui contient un oxyde conducteur transparent et qui est disposée sur une surface principale (12) de la superposition de couches semiconductrices (2), la couche de diffusion d'intensité de courant (6) couvrant au moins 30% et au plus 60% de la surface principale (12).
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten