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1. WO2009156419 - PHOTODETEKTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAZU

Veröffentlichungsnummer WO/2009/156419
Veröffentlichungsdatum 30.12.2009
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2009/057864
Internationales Anmeldedatum 24.06.2009
IPC
H01L 27/30 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiterschaltungselementen oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
28mit Schaltungselementen, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen Materialien mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen
30mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet um auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung anzusprechen; mit Schaltungselementen, besonders ausgebildet, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
CPC
B82Y 30/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
30Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
G01T 1/16
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
G01T 1/24
GPHYSICS
01MEASURING; TESTING
TMEASUREMENT OF NUCLEAR OR X-RADIATION
1Measuring X-radiation, gamma radiation, corpuscular radiation, or cosmic radiation
16Measuring radiation intensity
24with semiconductor detectors
H01L 27/308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
30with components specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength, or corpuscular radiation; with components specially adapted for either the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
305Devices controlled by radiation
308Devices specially adapted for detecting X-ray radiation
H01L 51/0036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
H01L 51/4213
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
42specially adapted for sensing infra-red radiation, light, electro-magnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation ; using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other material as the active part; Multistep processes for their manufacture
4213Comprising organic semiconductor-inorganic semiconductor hetero-junctions
Anmelder
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • HAYDEN, Oliver [AT]/[DE] (UsOnly)
  • TEDDE, Sandro, Francesco [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • HAYDEN, Oliver
  • TEDDE, Sandro, Francesco
Gemeinsamer Vertreter
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Prioritätsdaten
10 2008 029 782.825.06.2008DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) PHOTODETEKTOR UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAZU
(EN) PHOTODETECTOR AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) PHOTODÉTECTEUR ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Zusammenfassung
(DE) Die Erfindung betrifft einen Photodetektor für Röntgenstrahlung, bei dem Röntgenstrahlung in elektrische Ladung gewandelt wird. In der aktiven organischen Schicht des Photodetektors sind Nanopartikel eingearbeitet.
(EN) The invention relates to a photodetector for X-ray radiation, wherein the X-ray radiation is converted into an electric charge. Nanoparticles are incorporated into the active organic layer of the photodetector.
(FR) L'invention concerne un photodétecteur pour rayonnement X, dans lequel le rayonnement X est converti en une charge électrique. Des nanoparticules sont incorporées dans la couche organique active du photodétecteur.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten