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1. (WO2009156382) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER THERMOELEKTRISCHEN VORRICHTUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/156382 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2009/057780
Veröffentlichungsdatum: 30.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 23.06.2009
IPC:
H01L 27/16 (2006.01) ,H01L 35/34 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
16
mit thermoelektrischen Schaltungselementen mit oder ohne Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien; mit thermomagnetischen Schaltungselementen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
35
Thermoelektrische Bauelemente mit einer Kontaktstelle zwischen ungleichen Materialien, d.h. den Seebeck- oder Peltiereffekt ausnützende Bauelemente mit oder ohne Ausnützung weiterer thermoelektrischer oder thermomagnetischer Effekte; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
34
Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon
Anmelder:
MICROPELT GMBH [DE/DE]; Emmy-Noether-Straße 2 79110 Freiburg, DE (AllExceptUS)
NURNUS, Joachim [DE/DE]; DE (UsOnly)
VOLKERT, Fritz [DE/CH]; CH (UsOnly)
SCHUBERT, Axel; DE (UsOnly)
Erfinder:
NURNUS, Joachim; DE
VOLKERT, Fritz; CH
SCHUBERT, Axel; DE
Vertreter:
STAROSKE, Sandro; Maikowski & Ninnemann Postfach 15 09 20 10671 Berlin, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 030 191.425.06.2008DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER THERMOELEKTRISCHEN VORRICHTUNG
(EN) METHOD FOR PRODUCTION OF A THERMOELECTRIC APPARATUS
(FR) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN DISPOSITIF THERMOÉLECTRIQUE
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen mindestens einer thermoelektrischen Vorrichtung, mit den Schritten: Bereitstellen eines ersten Wafers (1), der aus einem thermoelektrischen Material eines ersten Leitungstyps gebildet ist; Bereitstellen eines zweiten Wafers, der aus einem thermoelektrischen Material seines zweiten Leitungstyps gebildet ist; Strukturieren des ersten Wafers (1), so dass eine Gruppe erster thermoelektrischer Strukturen (7) entsteht; Strukturieren des zweiten Wafers, so dass eine Gruppe zweiter thermoelektrischer Strukturen entsteht; Verbinden des ersten mit dem zweiten Wafer derart, dass die ersten und die zweiten thermoelektrischen Strukturen elektrisch miteinander verbunden sind und so die thermoelektrische Vorrichtung ausbilden. Erfindungsgemäß wird vor dem Strukturieren des ersten Wafers (1) ein erstes Kontaktmaterial (3) auf dem ersten Wafer (1) und/oder vor dem Strukturieren des zweiten Wafers ein zweites Kontaktmaterial auf dem zweiten Wafer abgeschieden.
(EN) The invention relates to a method for production of at least one thermoelectric apparatus with the steps of: Preparation of a first wafer (1) which is formed from a thermoelectric material of a first conductivity type; Preparation of a second wafer which is formed from a thermoelectric material of a second conductivity type; Structuring of the first wafer (1) so that a group of first thermoelectric structures (7) is produced; Structuring of the second wafer so that a group of second thermoelectric structures is produced; Linking of the first to the second wafer in such a manner that the first and the second thermoelectric structures are electrically connected together and thus form the thermoelectric apparatus.  According to the invention, before the structuring of the first wafer (1), a first contact material (3) is deposited onto the first wafer (1) and/or before the structuring of the second wafer, a second contact material is deposited onto the second wafer.
(FR) La présente invention concerne un procédé de réalisation d'au moins un dispositif thermoélectrique, comprenant les opérations suivantes : préparation d'une première tranche de semi-conducteur (1) qui se compose d'un matériau thermoélectrique d'un premier type de conductivité; préparation d'une deuxième tranche de semi-conducteur qui se compose d'un matériau thermoélectrique d'un deuxième type de conductivité; structuration de la première tranche de semi-conducteur (1) de sorte qu'un groupe de premières structures thermoélectriques (7) est formé; structuration de la deuxième tranche de semi-conducteur de sorte qu'un groupe de deuxièmes structures thermoélectriques est formé; liaison de la première tranche de semi-conducteur à la deuxième tranche de semi-conducteur de sorte que les premières et les deuxièmes structures thermoélectriques se trouvent reliées électriquement entre elles et forment ainsi le dispositif thermoélectrique. Selon l'invention, la structuration de la première tranche de semi-conducteur (1) est précédée du dépôt d'une première matière de contact (3) sur la première tranche de semi-conducteur (1) et/ou la structuration de la deuxième tranche de semi-conducteur est précédée du dépôt d'une deuxième matière de contact sur la deuxième tranche de semi-conducteur.
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Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
EP2301075US20110111546