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1. (WO2009156037) MISCHUNGEN VON PRECURSOREN ZUR HERSTELLUNG VON KERAMISCHEN SCHICHTEN MITTELS MOCVD
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/156037 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2009/003764
Veröffentlichungsdatum: 30.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 27.05.2009
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen: 22.03.2010
IPC:
C07F 7/00 (2006.01) ,C07F 7/24 (2006.01) ,C07F 7/28 (2006.01) ,C07F 7/30 (2006.01) ,C07F 17/00 (2006.01) ,C23C 18/12 (2006.01) ,H01L 27/11 (2006.01) ,H01L 21/02 (2006.01)
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
7
Verbindungen, die Elemente der vierten Gruppe des Periodensystems enthalten
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
7
Verbindungen, die Elemente der vierten Gruppe des Periodensystems enthalten
24
Bleiverbindungen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
7
Verbindungen, die Elemente der vierten Gruppe des Periodensystems enthalten
28
Titanverbindungen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
7
Verbindungen, die Elemente der vierten Gruppe des Periodensystems enthalten
30
Germaniumverbindungen
C Chemie; Hüttenwesen
07
Organische Chemie
F
Acyclische, carbocyclische oder heterocyclische Verbindungen, die andere Elemente als Kohlenstoff, Wasserstoff, Halogen, Sauerstoff, Stickstoff, Schwefel, Selen oder Tellur enthalten
17
Metallocene
C Chemie; Hüttenwesen
23
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Chemische Oberflächenbehandlung; Diffusionsbehandlung von metallischen Werkstoffen; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, Aufstäuben, Ionenimplantation oder chemisches Abscheiden aus der Dampfphase; Inhibieren von Korrosion metallischer Werkstoffe oder von Verkrustung allgemein
C
Beschichten metallischer Werkstoffe; Beschichten von Werkstoffen mit metallischen Stoffen; Oberflächenbehandlung metallischer Werkstoffe durch Diffusion in die Oberfläche, durch chemische Umwandlung oder Substitution; Beschichten allgemein durch Vakuumbedampfen, durch Aufstäuben, durch Ionenimplantation oder durch chemisches Abscheiden aus der Dampfphase
18
Chemisches Beschichten durch Zersetzen entweder flüssiger Verbindungen oder der Lösungen der den Überzug bildenden Verbindungen ohne Verbleiben von Reaktionsprodukten des Oberflächenmaterials im Überzug; Kontaktbeschichten
02
durch thermische Zersetzung
12
gekennzeichnet durch das Abscheiden anderer anorganischer Stoffe als metallischer Stoffe
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04
wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
10
mit einer Mehrzahl einzelner Schaltungselemente in sich wiederholender Konfiguration
105
mit Feldeffekt- Schaltungselementen
11
Strukturen für statische RAM-Speicher
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
Anmelder:
LEIBNIZ-INSTITUT FÜR NEUE MATERIALIEN GEMEINNÜTZIGE GMBH [DE/DE]; Campus D2 2 66123 Saarbrücken, DE (AllExceptUS)
VEITH, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
BENDER, Michael [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
VEITH, Michael; DE
BENDER, Michael; DE
Vertreter:
KÖLLNER, Malte; Vogelweidstrasse 8 60596 Frankfurt am Main, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 029 691.024.06.2008DE
Titel (DE) MISCHUNGEN VON PRECURSOREN ZUR HERSTELLUNG VON KERAMISCHEN SCHICHTEN MITTELS MOCVD
(EN) MIXTURES OF PRECURSORS FOR PRODUCING CERAMIC LAYERS BY MEANS OF MOCVD
(FR) MÉLANGES DE PRÉCURSEURS POUR FABRIQUER DES COUCHES CÉRAMIQUES PAR MOCVD
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft eine Mischung von Precursoren zur Herstellung keramischer Schichten, insbesondere piezokeramischer Schichten, mittels MOCVD und ein Verfahren zur Herstellung solcher Schichten, wobei die Mischung aus einem bimetallischen Precursor und mindestens einem weiteren Precursor besteht. Dadurch können auch Schichten mit mehr als 2 Metallen, wie PZT, aus einer Quelle erzeugt werden. Bevorzugt wird eine azeotrope Mischung eingesetzt.
(EN) The invention relates to a mixture of precursors for producing ceramic layers, especially piezoceramic layers, by means of MOCVD, and to a process for producing such layers, wherein the mixture consists of a bimetallic precursor and at least one further precursor. This also allows layers comprising more than two metals, such as PZT, to be obtained from one source. Preference is given to using an azeotropic mixture.
(FR) L'invention porte sur un mélange de précurseurs pour la fabrication de couches céramiques, en particulier de couches piézocéramiques, par MOCVD, et sur un procédé de fabrication de ces couches, le mélange étant constitué d'un précurseur bimétallique et d'au moins un autre précurseur. De ce fait, on peut aussi produire des couches comportant plus de deux métaux, tels que des couches PZT, à partir d'une source. De préférence, on utilise un mélange azéotropique.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
EP2297168