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1. (WO2009155899) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/155899 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/DE2009/000856
Veröffentlichungsdatum: 30.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 17.06.2009
IPC:
H01L 33/00 (2010.01) ,H01L 51/52 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51
Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
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besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED)
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Einzelheiten der Bauelemente
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
BERGENEK, Krister [SE/DE]; DE (UsOnly)
WIRTH, Ralph [DE/DE]; DE (UsOnly)
LINDER, Norbert [DE/DE]; DE (UsOnly)
WIESMANN, Christopher [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
BERGENEK, Krister; DE
WIRTH, Ralph; DE
LINDER, Norbert; DE
WIESMANN, Christopher; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 030 751.327.06.2008DE
Titel (DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
(EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE DE SEMICONDUCTEUR À ÉMISSION DE RAYONNEMENT
Zusammenfassung:
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer Vorderseite (7), die zur Strahlungsauskopplung vorgesehen ist, angegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist in Richtung von einer der Vorderseite (7) gegenüberliegenden Rückseite (8) zur Vorderseite (7) hin folgende Elemente in der angegebenen Reihenfolge auf: eine aktive Schicht (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist; eine Durchmischungsschicht (2), die Streuelemente (21) zur Streuung der elektromagnetischen Strahlung enthält; eine Übergangsschicht (3), die einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der aktiven Schicht (1); und einen ersten photonischen Kristall (4).
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip having a front (7) which is provided for the coupling out of light. The radiation-emitting semiconductor chip comprises the following elements from the back (8), opposite the front (7), towards the front (7) in the indicated order: an active layer (1) which is designed for the emission of electromagnetic radiation; a mixing layer (2) which contains scattering elements (21) for scattering the electromagnetic radiation; a transition layer (3) which has a refractive index smaller than the refractive index of the active layer (1); and a first photonic crystal (4).
(FR) L'invention concerne une puce de semiconducteur à émission de rayonnement pourvue d'une face avant (7) permettant la sortie du rayonnement. La puce de semiconducteur à émission de rayonnement comporte, dans le sens allant d'une face arrière (8), opposée à la face avant (7), à la face avant (7), les éléments suivants dans l'ordre indiqué : une couche active (1) destinée à émettre un rayonnement électromagnétique; une couche de mélange (2) contenant des éléments de dispersion (21) destinés à disperser le rayonnement électromagnétique; une couche de transition (3) présentant un indice de réfraction inférieur à celui de la couche active (1); et un cristal photonique (4).
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Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
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Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)