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1. WO2009155899 - STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP

Veröffentlichungsnummer WO/2009/155899
Veröffentlichungsdatum 30.12.2009
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2009/000856
Internationales Anmeldedatum 17.06.2009
IPC
H01L 33/00 2010.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
H01L 51/52 2006.1
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
50besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED)
52Einzelheiten der Bauelemente
CPC
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
H01L 2933/0083
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2933Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
0083Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
H01L 33/22
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02characterised by the semiconductor bodies
20with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
22Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
H01L 33/46
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
33Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
44characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
46Reflective coating, e.g. dielectric Bragg reflector
H01L 51/5268
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
52Details of devices
5262Arrangements for extracting light from the device
5268Scattering means
Anmelder
  • OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • BERGENEK, Krister [SE]/[DE] (UsOnly)
  • WIRTH, Ralph [DE]/[DE] (UsOnly)
  • LINDER, Norbert [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WIESMANN, Christopher [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • BERGENEK, Krister
  • WIRTH, Ralph
  • LINDER, Norbert
  • WIESMANN, Christopher
Vertreter
  • EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH
Prioritätsdaten
10 2008 030 751.327.06.2008DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (de)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP
(EN) RADIATION-EMITTING SEMICONDUCTOR CHIP
(FR) PUCE DE SEMICONDUCTEUR À ÉMISSION DE RAYONNEMENT
Zusammenfassung
(DE) Es wird ein strahlungsemittierender Halbleiterchip mit einer Vorderseite (7), die zur Strahlungsauskopplung vorgesehen ist, angegeben. Der strahlungsemittierende Halbleiterchip weist in Richtung von einer der Vorderseite (7) gegenüberliegenden Rückseite (8) zur Vorderseite (7) hin folgende Elemente in der angegebenen Reihenfolge auf: eine aktive Schicht (1), die zur Emission von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist; eine Durchmischungsschicht (2), die Streuelemente (21) zur Streuung der elektromagnetischen Strahlung enthält; eine Übergangsschicht (3), die einen Brechungsindex aufweist, der kleiner ist als der Brechungsindex der aktiven Schicht (1); und einen ersten photonischen Kristall (4).
(EN) The invention relates to a radiation-emitting semiconductor chip having a front (7) which is provided for the coupling out of light. The radiation-emitting semiconductor chip comprises the following elements from the back (8), opposite the front (7), towards the front (7) in the indicated order: an active layer (1) which is designed for the emission of electromagnetic radiation; a mixing layer (2) which contains scattering elements (21) for scattering the electromagnetic radiation; a transition layer (3) which has a refractive index smaller than the refractive index of the active layer (1); and a first photonic crystal (4).
(FR) L'invention concerne une puce de semiconducteur à émission de rayonnement pourvue d'une face avant (7) permettant la sortie du rayonnement. La puce de semiconducteur à émission de rayonnement comporte, dans le sens allant d'une face arrière (8), opposée à la face avant (7), à la face avant (7), les éléments suivants dans l'ordre indiqué : une couche active (1) destinée à émettre un rayonnement électromagnétique; une couche de mélange (2) contenant des éléments de dispersion (21) destinés à disperser le rayonnement électromagnétique; une couche de transition (3) présentant un indice de réfraction inférieur à celui de la couche active (1); et un cristal photonique (4).
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EP2009768823Diese Anmeldung ist in PATENTSCOPE nicht einsehbar, da der Eintrag für die nationale Phase noch nicht veröffentlicht wurde, oder der Eintrag für die nationale Phase wird von einem Land ausgestellt, das keine Daten mit der WIPO teilt, oder es gibt ein Formatierungsproblem oder die Anmeldung ist nicht verfügbar.
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