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1. (WO2009155897) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES UND EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2009/155897    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2009/000810
Veröffentlichungsdatum: 30.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 09.06.2009
IPC:
H01L 33/00 (2010.01)
Anmelder: OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 Regensburg 93055 (DE) (For All Designated States Except US).
RODE, Patrick [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STRASSBURG, Martin [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ENGL, Karl [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HÖPPEL, Lutz [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: RODE, Patrick; (DE).
STRASSBURG, Martin; (DE).
ENGL, Karl; (DE).
HÖPPEL, Lutz; (DE)
Vertreter: EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2008 030 584.7 27.06.2008 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTES UND EIN OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND OPTOELECTRONIC COMPONENT
(FR) PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN COMPOSANT OPTO-ÉLECTRONIQUE ET COMPOSANT OPTO-ÉLECTRONIQUE CORRESPONDANT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Bei einem Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelementes wird ein Aufwachssubstrat (10) mit einem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten bereitgestellt. Auf diesen wird eine mehrlagige Bufferschichtenfolge (11) aufgebracht. Anschließend wird eine Schichtenfolge (2) epitaktisch abgeschieden, die einen zu dem ersten thermischen Ausdehnungskoeffizienten unterschiedlichen zweiten thermischen Ausdehnungskoeffizienten aufweist. Weiterhin umfasst sie eine zur Emission elektromagnetischer Strahlung aktive Schicht. Anschließend wird ein Trägersubstrat (15) auf der epitaktisch abgeschiedenen Schichtenfolge (2) aufgebracht. Das Aufwachssubstrat (10) wird entfernt und die mehrlagige Bufferschichtenfolge (11) zur Erhöhung einer Auskopplung elektromagnetischer Strahlung strukturiert (17). Schließlich wird die epitaktisch abgeschiedene Schichtenfolge (2) kontaktiert.
(EN)The invention relates to a method for producing an optoelectronic component. According to said method, an epitaxial growth substrate (10) having a first coefficient of thermal expansion is made available. A multi-layer buffer layer sequence (11) is applied to the substrate. A layer sequence (2) which has a second coefficient of thermal expansion different from the first coefficient of thermal expansion is epitaxially deposited. The layer sequence further comprises an active layer for emitting electromagnetic radiation. A carrier substrate (15) is then applied to the epitaxially deposited layer sequence (2). The epitaxial growth substrate (10) is removed and the multi-layer buffer layer sequence (11) is structured (17) to increase a coupling out of electromagnetic radiation. The epitaxially deposited layer sequence (2) is then contacted.
(FR)La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un composant opto-électronique, dans lequel est employé un substrat de croissance (10) ayant un premier coefficient de dilatation thermique. Sur ce substrat est appliquée une série de couches tampons (11). Une série de couches (2) est ensuite appliquée de manière épitactique, la série de couches ayant un deuxième coefficient de dilatation thermique différent du premier. Elle comprend en outre une couche active en ce qui concerne l'émission de rayonnement électromagnétique. Un substrat de support (15) est ensuite appliqué sur la série de couches (2) déposée de manière épitactique. Le substrat de croissance (10) est éliminé et la série de couches tampon (11) est structurée (17) pour augmenter l'émission de rayonnement électromagnétique. Pour finir, la série de couches (2) déposée de manière épitactique est mise en contact.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)