Einige Inhalte dieser Anwendung sind momentan nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2009155894) HALBLEITERLASERMODUL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/155894 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2009/000729
Veröffentlichungsdatum: 30.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 20.05.2009
IPC:
H01S 5/022 (2006.01) ,H01S 5/183 (2006.01) ,H01S 5/04 (2006.01) ,H01S 3/06 (2006.01) ,H01S 5/14 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
02
Bauliche Einzelheiten oder Bauteile, die nicht für die Laseraktion maßgeblich sind
022
Montagesockel oder Halterungen; Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
10
Aufbau oder Form des optischen Resonators
18
Oberflächenemittierende Laser [surface-emitting laser = SE-Laser]
183
mit vertikalem Resonator [vertical-cavity surface-emitting laser (= VCSE-Laser)]
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
04
Verfahren oder Geräte zur Anregung, z.B. zum Pumpen
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
3
Laser, d.h. Vorrichtungen zur Erzeugung, Verstärkung, Modulation, Demodulation oder Frequenzwandlung von infraroten, sichtbaren oder ultravioletten Wellen mit Hilfe einer stimulierten Emission
05
Aufbau oder Form optischer Resonatoren; Unterbringung des stimulierbaren Mediums darin; Form des stimulierbaren Mediums
06
Aufbau oder Form des stimulierbaren Mediums
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
S
Vorrichtungen, die stimulierte Emission verwenden
5
Halbleiterlaser
10
Aufbau oder Form des optischen Resonators
14
Laser mit externem Resonator
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Leibnizstrasse 4 93055 Regensburg, DE (AllExceptUS)
SCHULZ, Roland [DE/DE]; DE (UsOnly)
AUEN, Karsten [DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHWARZ, Thomas [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
SCHULZ, Roland; DE
AUEN, Karsten; DE
SCHWARZ, Thomas; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; Ridlerstrasse 55 80339 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 030 254.625.06.2008DE
Titel (DE) HALBLEITERLASERMODUL
(EN) SEMICONDUCTOR LASER MODULE
(FR) MODULE LASER SEMICONDUCTEUR
Zusammenfassung:
(DE) Es wird ein Halbleiterlasermodul angegeben, aufweisend - einen Modulträger (10) mit einer Montagefläche (11), - eine Pumpvorrichtung (1), die auf der Montagefläche (11) angeordnet ist, - einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser (40), der auf der Montagefläche (11) angeordnet ist, und - eine Frequenz-Konversions-Vorrichtung (6), die auf der Montagefläche (11) angeordnet ist, wobei - sich im Strahlengang des Pumpstrahls (1c) zwischen Pumpvorrichtung und oberflächenemittierendem Halbleiterlaser (40) genau ein optisches Element (2) befindet, und wobei - Strahlungsdurchtrittsflächen (23,24) des optischen Elements an Luft grenzen.
(EN) A semiconductor laser module is specified, having - a module mount (10) with a mounting surface (11), - a pump apparatus (1) which is arranged on the mounting surface (11), - a surface-emitting semiconductor laser (40) which is arranged on the mounting surface (11), and - a frequency conversion apparatus (6) which is arranged on the mounting surface (11), wherein - one and only one optical element (2) is located in the beam path of the pump beam (1c) between the pump apparatus and the surface-emitting semiconductor laser (40), and wherein - radiation passage surfaces (23,24) of the optical element are adjacent to air.
(FR) L'invention concerne un module laser semiconducteur comprenant : - un support de module (10) avec une surface de montage (11) ; - un dispositif de pompage (1) qui est placé sur la surface de montage (11) ; - un laser semiconducteur à émission par la surface (40) qui est placé sur la surface de montage (11) ; et – un dispositif de conversion de fréquence (6) qui est placé sur la surface de montage (11). Il se trouve sur le chemin des rayons de pompage (1c) entre le dispositif de pompage et le laser semiconducteur à émission par la surface (40) exactement un élément optique (2). Les surfaces de traversée des rayons (23, 24) de l'élément optique sont interfacées avec l'air.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)