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1. (WO2009153356) HALBLEITERBAUELEMENT MIT KREUZUNGEN VON ISOLATIONSGRÄBEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2009/153356 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2009/057706
Veröffentlichungsdatum: 23.12.2009 Internationales Anmeldedatum: 19.06.2009
IPC:
H01L 21/762 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
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Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
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Herstellung von bestimmten Teilen der in Gruppe H01L21/7075
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Ausbildung von isolierenden Bereichen zwischen Schaltungselementen
762
Dielektrische Bereiche
Anmelder:
X-FAB SEMICONDUCTOR FOUNDRIES AG [DE/DE]; Haarbergstrasse 67 99097 Erfurt, DE (AllExceptUS)
LERNER, Ralf [DE/DE]; DE (UsOnly)
ECKOLDT, Uwe [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
LERNER, Ralf; DE
ECKOLDT, Uwe; DE
Vertreter:
LEONHARD OLGEMOELLER FRICKE; Postfach 10 09 62 80083 München, DE
Prioritätsdaten:
10 2008 029 235.419.06.2008DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT KREUZUNGEN VON ISOLATIONSGRÄBEN
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT WITH ISOLATION TRENCH INTERSECTIONS
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR DOTÉ DE CROISEMENTS DE TRANCHÉES D'ISOLATION
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft die geometrische Gestaltung (als Layout) von Kreuzungsstellen und Einmündungen von Isolationsgräben 10 (Trenches) mit hohem Aspektverhältnis für trench isolierte Smart Power Technologien mit dicken (ca. 50 μm dicken) aktiven Schichten 24 in SOI-Siliziumscheiben 20, 22, 24. Durch die geometrische Gestaltung der Isolationsgräben 10a, 10b, 10c, 10d wird der Fertigungsprozess vereinfacht. Die Anzahl der benötigten Fertigungsschritte verringert sich. Fehlerquote und die Herstellungskosten werden reduziert.
(EN) The invention relates to the geometric design (as a layout) of points of intersection and junctions of isolation trenches 10 (trenches) having a high aspect ratio for trench-isolated smart power technologies comprising thick (ca. 50 μm thick) active layers 24 in SOI silicon wafers 20, 22, 24. Through the geometric design of the isolation trenches 10a, 10b, 10c, 10d, the manufacturing process is simplified. The number of manufacturing steps required is reduced. Error rates and manufacturing costs are reduced.
(FR) L'invention concerne la configuration géométrique (modèle) d'emplacements de croisement et d'embouchures de tranchées d'isolation (10) (tranchées) à haut rapport d'aspect pour des technologies d'alimentation intelligente isolée par tranchées, qui présentent des couches actives épaisses (24) (d'une épaisseur d'environ 50 μm) dans des plaques de silicium SOI (20, 22, 24). La configuration géométrique des tranchées d'isolation (10a, 10b, 10c, 10d) simplifie le processus de fabrication. Le nombre nécessaire d'étapes de fabrication diminue. Les erreurs de soumission et les coûts de fabrication sont réduits.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PE, PG, PH, PL, PT, RO, RS, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
US20120098084DE112009001394